[发明专利]含铁固结磨料研磨抛光垫无效
申请号: | 201110223134.6 | 申请日: | 2011-08-05 |
公开(公告)号: | CN102267105A | 公开(公告)日: | 2011-12-07 |
发明(设计)人: | 朱永伟;李军;左敦稳;唐晓潇;叶剑锋;李标;孙玉利 | 申请(专利权)人: | 南京航空航天大学 |
主分类号: | B24D3/34 | 分类号: | B24D3/34;B24D3/00 |
代理公司: | 南京天华专利代理有限责任公司 32218 | 代理人: | 瞿网兰 |
地址: | 210016 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固结 磨料 研磨 抛光 | ||
技术领域
本发明涉及一种精加工工具,尤其是一种研磨抛光加工用的研磨抛光垫,具体地说是一种含铁固结磨料研磨抛光垫。
背景技术
据预测,全球LED照明市场规模2012年将高达120亿美元,手持式家用电器需求增长强劲,因而,蓝宝石衬底材料和玻璃显示屏市场看好。美国、中国等国家先后启动了核聚变发电计划,其中仅美国“国家点火计划”中,光学元件用量达到4万多件,光学元件还广泛应用于武器精确制导系统、空间遥感系统、全固态激光显示和医疗系统等。上述产品中,大量采用超精密研磨抛光作为其加工手段。研磨抛光加工技术水平制约着我国硬盘、光学、半导体等与我国国民经济运行安全和国防安全密切相关的技术发展。研磨抛光垫是研磨抛光加工最重要的工具之一,其决定器件最终的加工质量、加工效率及加工成本。
目前研磨抛光加工中使用的抛光垫主要有沥青盘、聚氨酯和绒布研磨抛光垫。沥青盘较软,加工过程易变形,要不断的修整以保证被抛光工件的面形,没有自修整能力;聚氨酯研磨抛光垫有一定的硬度,但被抛光工件在压力的作用下易陷入抛光垫,工件易塌边、影响工件的面形精度,同时,磨料颗粒易陷入抛光垫的孔中,影响加工的继续进行,所以,每隔一段时间抛光垫需要修整;绒布抛光垫较软,一般用于提高工件的表面粗糙度,不易改变工件的面形精度。目前使用的研磨抛光垫刚度不够,易变形、难以保证工件的面形精度,同时要不断的修整以维持加工的继续进行,加工效率低。
目前加工中使用的树脂铁盘主要用于研磨,加工过程中需要添加含磨料的抛光液,加工后清洗困难,树脂铁盘容易磨钝,需定时修整、加工效率低,表面质量差、研磨后还需要抛光等工序提高表面质量。
发明内容
本发明的目的是针对现有加工过程中研磨抛光垫的刚度不够、需要不断修整,影响加工的面形精度、降低加工效率的问题,发明一种刚度高具有自修整功能的树脂含铁的固结磨料研磨抛光垫。
本发明的技术方案是:
一种含铁固结磨料研磨抛光垫,其特征是它主要由磨料、铁粉和树脂均匀混合固化而成,所述的磨料、铁粉和树脂的质量百分比为磨料:铁粉:树脂=5%-50%:0.1%-30%:20%-90%。
所述的磨料为金刚石、氧化硅、氧化铈、氧化铝、碳化硅、碳化硼、氧化锆中的一种或几种组合。
所述的磨料粒度为50纳米-100微米。
所述的铁粉为还原铁粉、电解铁粉、焊条铁粉、铁粉,铁纤维,羟基铁粉,雾化铁粉中的一种或几种组合。
所述的铁粉粒度为50纳米-50微米。
本发明的有益效果:
本发明的研磨抛光垫可广泛应用于半导体、玻璃、光学晶体、陶瓷等材料的研磨抛光加工,加工过程提高工件的面形精度、避免停工修整研磨抛光垫,加工效率高、表面质量优。
本发明的研磨抛光垫,在固结磨料研磨抛光垫中添加铁粉,提高研磨抛光垫的刚度,加工过程中不易变形,改善工件的面形;同时,加工过程中与研磨抛光液配合,提高研磨抛光垫的自修整能力,避免停工修整研磨抛光垫,有利于加工过程长时间连续进行,提高加工效率;在树脂铁盘中添加磨料,提高加工效率和工件的表面质量。
本发明结构简单,易于实现,具有成本低、产出高的优点。
本发明不仅能提高研磨抛光垫的刚度,改善工件面形精度,而且通过与研磨抛光液配合,能提高研磨抛光垫的自修整能力,有利于加工过程长时间连续进行,提高加工效率和工件的表面质量。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步的说明。
实施例1:一种含铁固结磨料研磨抛光垫,它由磨料、铁粉和树脂均匀混合固化后形成,其制备方法与现有的抛光垫相同,其中碳化硅磨料400g, 雾化铁粉150g, 树脂450g(可采用与现有抛光垫使用的完全相同的树脂,如亲水树脂,也可采用申请人在先申请的申请号为2007100248219、2008102440960、2008100227414、2009102135958、201010145260X中所使用的树脂配方加以实现,下同)。本发明的关键点是在抛光垫中增加了铁粉,其余组份除配比关系外与现有技术基本相同。碳化硅的粒度为50微米,雾化铁粉的粒度为20微米。制成研磨抛光垫加工K9玻璃面形提高50%,材料去除率提高250%,自修整能力提高35倍。研磨抛光单晶硅片,面形提高40%,材料去除率提高300%,自修整能力提高25倍。
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