[发明专利]发光二极管无效
| 申请号: | 201110222448.4 | 申请日: | 2011-08-04 |
| 公开(公告)号: | CN102916106A | 公开(公告)日: | 2013-02-06 |
| 发明(设计)人: | 罗杏芬 | 申请(专利权)人: | 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L25/075 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光二极管 | ||
技术领域
本发明涉及一种发光二极管,特别是一种增强侧向发光的发光二极管。
背景技术
发光二极管产业是近几年最受瞩目的产业之一,发展至今,发光二极管产品已具有节能、省电、高效率、反应时间快、寿命周期时间长、且不含汞、具有环保效益等优点,因此被认为是新世代绿色节能照明的最佳光源。现有的发光二极管封装方法,其在发光时均是中间发光强度较强,侧面发光强度较弱。然而,在某些应用场合,需要发光二极管在侧面具有比较强的发光强度,而现有的发光二极管则不能满足该应用场合的需求。
发明内容
有鉴于此,有必要提供一种可增强侧面的发光强度的发光二极管。
一种发光二极管,其包括导电板、发光芯片、封装体以及基底,导电板包括彼此绝缘的第一导电板及第二导电板,发光芯片电连接至第一导电板及第二导电板,其中,发光芯片相对基底倾斜地设置而使发光芯片的出光面朝向发光二极管的一侧,发光芯片的出光面发出的光线透射封装体而从发光二极管的该侧射出。
由于该发光芯片的出光面发出的光线透射封装体而从发光二极管的芯片发光面面向的侧面射出,即光线从发光二极管的侧面发出,所以发光二极管的侧向发光光强得到增强。
附图说明
图1是本发明的发光二极管的制造过程的一个步骤。
图2是本发明的发光二极管的制造过程的另一步骤。
图3是本发明的第一实施例的发光二极管的剖视图。
图4是本发明的第一实施例的发光二极管的配光曲线。
图5是本发明的第二实施例的发光二极管的剖视图。
主要元件符号说明
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步的详细说明。
请参阅图1-3,示出了本发明的第一实施例的发光二极管10及其制造过程的其中两个步骤。发光二极管10包括一基板20、一导电板组30、两片发光芯片40、一封装体60、一基底80、两个导电模块70以及连通导电板组30和导电模块70的若干导线50。
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