[发明专利]薄电子探测器中的反向散射降低有效
| 申请号: | 201110222290.0 | 申请日: | 2011-08-04 |
| 公开(公告)号: | CN102376516A | 公开(公告)日: | 2012-03-14 |
| 发明(设计)人: | G.C.范霍夫滕;J.洛夫;F.J.P.舒尔曼斯;M.A.W.斯特克伦堡;R.亨德森;A.R.法鲁奇;G.J.麦克穆兰;R.A.D.图尔切塔;N.C.古里尼 | 申请(专利权)人: | FEI公司 |
| 主分类号: | H01J37/22 | 分类号: | H01J37/22;H01J37/26;H01L27/146 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 王岳;王忠忠 |
| 地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电子 探测器 中的 反向 散射 降低 | ||
1.一种用于透射电子显微镜的照相机(300,400,500,600,700,800),包括:
传感器(204,402,502,604,702),所述传感器具有小于100μm的厚度;
其特征在于,所述照相机包括:
位于所述传感器下面的结构(406,508,608和704),所述结构被配置为降低电子朝向所述传感器的反向散射以通过降低来自反向散射电子的噪声而改进所述传感器的分辨率。
2.根据权利要求1的照相机,其中所述传感器包括具有基板(206)和探测部(208)的CMOS有源像素传感器,位于所述传感器下面的所述结构防止通过所述基板的电子再次进入所述基板并且到达所述探测部。
3.根据权利要求1的照相机,其中位于所述传感器下面的所述结构提供在传感器的基本整个底部表面下面延伸距离(305)的空空间,所述距离至少是所述传感器的长度、宽度或者直径中的较长者的四倍,由此降低由从所述传感器下面的材料反向散射的电子引起的、在所述传感器中的信号。
4.根据权利要求3的照相机,其中所述传感器具有小于50μm的厚度并且其中所述照相机底部位于离所述传感器的所述底部表面至少200μm。
5.根据权利要求1的照相机,其中位于所述传感器下面的所述结构包括多个翼片(506,606),所述翼片偏转并且吸收通过所述传感器的电子。
6.根据权利要求1的照相机,其中位于所述传感器下面的所述结构包括多个高纵横比通道(508,608)。
7.根据权利要求5的照相机,其中所述多个高纵横比通道(508)开口朝向所述传感器。
8.根据权利要求5的照相机,其中所述多个高纵横比通道(608)开口远离所述传感器。
9.根据权利要求1的照相机,其中位于所述传感器下面的结构(704)包括具有小于硅的原子序数的平均原子序数的材料以降低电子的反向散射。
10.一种透射电子显微镜,包括:
高能电子源(902);
用于朝向样本引导电子的聚焦镜筒(904);
用于从通过所述样本的电子记录电子图像的、根据以上权利要求中任何一项的照相机。
11.一种在透射电子显微镜中观察样本的方法,包括:
朝向样本引导高能电子束;
使用薄传感器探测通过所述样本的电子,相当大的数目的电子通过所述薄传感器;
其特征在于:
在所述薄传感器下面提供一种结构,所述结构防止已通过所述传感器的电子散射回到所述传感器中并且产生错误信号。
12.根据权利要求11的方法,其中在所述薄传感器下面提供一种结构包括提供一种包括多个高纵横比通道的结构。
13.根据权利要求11的方法,其中在所述薄传感器下面提供一种结构包括提供一种具有多个倾斜表面以偏转电子从而防止电子到达所述探测器部的结构。
14.根据权利要求11的方法,其中在所述薄传感器下面提供一种结构包括提供一种具有低的反向散射系数以防止电子到达所述探测器部的结构。
15.根据权利要求11的方法,其中在反向薄化的半导体传感器下面提供一种结构包括提供一种在所述传感器下面包括空空间的结构,所述空空间具有所述传感器尺寸的至少四倍的厚度。
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