[发明专利]等离子体生成装置、等离子体处理装置以及处理方法无效

专利信息
申请号: 201110221979.1 申请日: 2011-07-29
公开(公告)号: CN102421237A 公开(公告)日: 2012-04-18
发明(设计)人: 堀胜;丰田浩孝;关根诚;伊藤仁;三好秀典 申请(专利权)人: 国立大学法人名古屋大学;东京毅力科创株式会社
主分类号: H05H1/46 分类号: H05H1/46;H01J37/32
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 李伟;舒艳君
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 等离子体 生成 装置 处理 以及 方法
【权利要求书】:

1.一种等离子体生成装置,其特征在于,

具备:

微波发生装置,其产生微波;

中空状的波导管,其与所述微波发生装置连接,在微波的传送方向上形成为细长状,并且与该传送方向正交的方向的截面形成为矩形;

气体供给装置,其与所述波导管连接并朝其内部供给处理气体;以及

天线部,其是所述波导管的一部分,并将由微波生成的等离子体朝外部放出,

所述天线部在其截面中成为短边的壁上具有1条或多条隙缝孔,利用微波使供给至大气压状态的所述波导管内的处理气体在所述隙缝孔进行等离子体化,进而从所述隙缝孔朝外部放出。

2.根据权利要求1所述的等离子体生成装置,其特征在于,

在所述微波发生装置与所述天线部之间的所述波导管内,具备隔断所述处理气体的通过的隔断壁。

3.根据权利要求1或2所述的等离子体生成装置,其特征在于,

所述隙缝孔设置成矩形形状,并且配设成其长度方向与所述天线部的长度方向一致。

4.根据权利要求3所述的等离子体生成装置,其特征在于,

多个隙缝孔被配设成一列。

5.根据权利要求3所述的等离子体生成装置,其特征在于,

在所述天线部,设置单个隙缝孔。

6.根据权利要求1至5中的任何一项所述的等离子体生成装置,其特征在于,

所述隙缝孔的边缘面呈倾斜地设置成在所述壁的厚度方向上开口宽度发生变化。

7.根据权利要求1至6中的任何一项所述的等离子体生成装置,其特征在于,

进一步具备脉冲发生器,并脉冲状地产生微波而生成等离子体。

8.根据权利要求1至7中的任何一项所述的等离子体生成装置,其特征在于,

所述天线部并列地配置有多个。

9.根据权利要求8所述的等离子体生成装置,其特征在于,

在并列地配置的多个所述天线部中,针对每个所述天线部以沿长度方向错位的方式来配设所述隙缝孔,使得在所述壁的宽度方向上,且在遍及多个所述天线部的范围内,至少存在一个所述隙缝孔。

10.一种等离子体处理装置,其特征在于,

具备权利要求1至9中的任何一项所述的等离子体生成装置,并利用所产生的等离子体对被处理体进行规定的处理。

11.根据权利要求10所述的等离子体处理装置,其特征在于,

所述天线部被配置成所述隙缝孔与被处理体对置。

12.根据权利要求11所述的等离子体处理装置,其特征在于,

在被处理体的表里两面分别配置天线部。

13.根据权利要求11或12所述的等离子体处理装置,其特征在于,

被处理体形成为薄膜状,且能够以卷对卷的方式输送。

14.一种等离子体处理方法,其特征在于,

使用权利要求10至13中的任何一项所述的等离子体处理装置处理被处理体。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国立大学法人名古屋大学;东京毅力科创株式会社,未经国立大学法人名古屋大学;东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110221979.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top