[发明专利]一种将芯片底部和周边包封的芯片级封装方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种芯片级的封装方法(WLP)，特别涉及一种将芯片底部和周边包封的芯片级封装方法。

背景技术

如图1所示，是现有一种半导体芯片200的结构示意图，仅仅在所述芯片200的周边设置有塑封体300。具体在一个硅片100上对应制作了若干芯片200顶面的金属布线210、钝化层220，并在其顶部电极上分别植设了锡球230之后，进行所述芯片200封装；所述封装方法，如图2所示：步骤A1，使所述硅片100的底面贴在划片膜400上，而使所述若干芯片200顶部的金属布线210、钝化层220及锡球230朝上；步骤A2，对硅片100划片，即对应在划片膜400连接的各个芯片200之间形成划片道110；步骤A3，在所述若干划片道110内注入塑封树脂等塑封料，以形成所述塑封体300；步骤A4，在所述划片道110的位置划片，将相邻芯片200之间原本为一体的塑封体300分开，形成各个独立的芯片200；去除所述划片膜400后，即形成了如图1所示的芯片200封装。可见，在每个芯片200的底面，没有用塑封体300包封，缺乏保护。

如图3所示，是现有另一种半导体芯片200的塑封结构示意图，该芯片200的底部和周边都有塑封体300包封。该芯片200的封装方法，如图4所示：步骤B1、B2，首先对硅片100切割形成分离的独立芯片200，再将每个芯片200正面朝下，分别固定在划片膜400上，使每个芯片200的位置与其他芯片200之间留有一定的间隔，该间隔比芯片200位于硅片100上的相互间隔要大；步骤B3，进行注塑，使塑封料填充在相邻芯片200的间隔位置并完全覆盖在所述硅片100向上的背面，形成所述塑封体300；步骤B4、B5，除去划片膜400后，将硅片100上由所述塑封体300连接为整体的若干芯片200翻转，使硅片100正面朝上；步骤B6、B7，依次在硅片100正面进行扇出型的金属布线再分布(Fan-Out RDL)处理和钝化处理；步骤B8、B9，在硅片100正面对应位置植设锡球230，形成芯片200的顶部电极；对芯片200进行测试后，从硅片100正面划片，分离出如图3所示的若干独立的芯片200。该芯片200的底部和周边都有塑封体300保护，但是其制作工艺十分复杂。

发明内容

本发明的目的是提供一种芯片级封装方法，得到在芯片底部和周边都通过塑封体包封保护的芯片封装结构。

为了达到上述目的，本发明的技术方案是提供一种将芯片底部和周边包封的芯片级封装方法，其在每个芯片的底部和周边都形成了保护用的塑封体；该封装方法包含以下步骤：

步骤1、硅片准备；在一片硅片正面对应制作了若干个芯片的表面图案，并使硅片的该正面朝上；

步骤2、在硅片背面进行背面减薄处理；

步骤3、将硅片的背面固定粘接在划片膜上；

步骤4、从硅片正面划片切割，对应将各个芯片分离；该些芯片通过底面的划片膜连接，并保持相互间位于硅片上的相对位置和间隔；

步骤5、将带划片膜的硅片倒装，使切割后的整个硅片正面向下固定粘接在一个双面胶带的顶面上，之后将所述划片膜去除；所述双面胶带的底面粘接固定在一个支撑衬板上或其它固定装置上；

步骤6、对硅片进行塑封，使塑封料从硅片背面填满相邻芯片之间的间隔位置，并且覆盖了所有芯片背面形成塑封体；

步骤7、将硅片翻转，并从相粘接的所述支撑衬板与双面胶带上，将该硅片剥离下来；

步骤8、在朝上的硅片正面，对应每个芯片顶部电极的位置进行植球；

步骤9、通过回流处理，形成了对应该些顶部电极的若干锡球；

步骤10、通过划片形成各个独立的芯片：将相邻芯片之间联结为一体的塑封体分开，使每个芯片的底部和周边都留有一定的所述塑封体保护。

所述芯片是MOSFET芯片时，步骤1中，该芯片的硅片衬底正面，包含有二氧化硅起始层，铝制的金属布线层，以及钝化层；所述芯片的该正面朝上。

步骤2中，所述硅片背面减薄之后，再通过背面腐蚀、背面金属化工艺，在硅片背面形成了一定厚度的金属层。

所述芯片是功率器件芯片时，步骤1中，还包含在硅片正面进行的金属布线再分布处理；该芯片的硅片衬底正面，包含有二氧化硅起始层，铝制的金属布线再分布层，以及钝化层；所述芯片的该正面朝上。