[发明专利]发光元件、发光装置、照明装置以及电子设备有效

专利信息
申请号: 201110221584.1 申请日: 2009-12-01
公开(公告)号: CN102255051A 公开(公告)日: 2011-11-23
发明(设计)人: 能渡广美;濑尾哲史;大泽信晴;牛洼孝洋;筒井哲夫 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 吴娟;李炳爱
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 发光 元件 装置 照明 以及 电子设备
【权利要求书】:

1.一种发光元件,包括:

阳极;

位于所述阳极上的第一EL层;

位于所述第一EL层上的第一层;

位于所述第一层上并与其接触的第二层;

包含空穴传输性物质和过渡金属氧化物的第三层,所述第三层位于所述第二层上并与其接触;

位于所述第三层上的第二EL层;以及

位于所述第二EL层上的阴极,

其中,所述第一层包含选自碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物以及稀土金属化合物中的至少一种,并且

所述第二层包含电子传输性物质。

2.一种发光元件,包括:

阳极;

位于所述阳极上的第一EL层;

位于所述第一EL层上的第一层;

位于所述第一层上并与其接触的第二层;

包含空穴传输性物质和过渡金属氧化物的第三层,所述第三层位于所述第二层上并与其接触;

位于所述第三层上的第二EL层;以及

位于所述第二EL层上的阴极,

其中,所述第一层包含电子传输性物质和施体物质,并且

所述第二层包含电子传输性物质

3.一种发光元件,包括:

第一电极;

包括第一发光层和第二发光层的第一EL层,该第一EL层位于所述第一电极上;

位于所述第一EL层上的第一层;

位于所述第一层上并与其接触的第二层;

包含空穴传输性物质和过渡金属氧化物的第三层,该第三层位于所述第二层上并与其接触;

该第二EL层位于所述第三层上;以及

位于所述第二EL层上的第二电极,

其中,所述第一层包含选自碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物以及稀土金属化合物中的至少一种,

所述第二层包含电子传输性物质,并且

所述第一发光层的发射光谱与所述第二发光层的发射光谱不同。

4.一种发光元件,包括:

第一电极;

包括第一发光层和第二发光层的第一EL层,该第一EL层位于所述第一电极上;

位于所述第一EL层上的第一层;

位于所述第一层上并与其接触的第二层;

包含空穴传输性物质和过渡金属氧化物的第三层,该第三层位于所述第二层上并与其接触;

该第二EL层位于所述第三层上;以及

位于所述第二EL层上的第二电极,

其中,所述第一层包含电子传输性物质和施体物质,

所述第二层包含电子传输性物质,并且

所述第一发光层的发射光谱与所述第二发光层的发射光谱不同。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的发光元件,其中,所述第三层是层叠包含空穴传输物质的第一区域和包含过渡金属氧化物的第二区域在其中层叠的层。

6.根据权利要求5所述的发光元件,其中,所述第一区域与所述第二EL层接触。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的发光元件,其中,在所述第三层中,过渡金属氧化物相对于空穴传输性物质的质量比为0.1∶1至4.0∶1。

8.根据权利要求1至4中任一项所述的发光元件,其中,所述过渡金属氧化物是属于元素周期表中的第四族至第八族的金属的氧化物。

9.根据权利要求1至4中任一项所述的发光元件,其中,所述过渡金属氧化物是氧化钼。

10.根据权利要求1至4中任一项所述的发光元件,其中,所述第三层还包含7,7,8,8-四氰基-2,3,5,6-四氟醌二甲烷和/或氯醌。

11.根据权利要求1至4中任一项所述的发光元件,其中,所述第一EL层的发射光谱与所述第二EL层的发射光谱不同

12.根据权利要求2或4所述的发光元件,其中,所述施体物质相对于所述电子传输性物质的质量比为0.001∶1至0.1∶1。

13.包含权利要求1-4中任一项所述的发光元件的发光装置、照明装置和电子装置,其选自:摄像机、护目镜型显示器、导航系统、声音回放装置、计算机、游戏机、便携式信息终端、电子图书、移动电话、图像回放装置和电视。

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