[发明专利]光致抗蚀剂组合物以及形成光刻图案的方法

权利要求书

1.一种光致抗蚀剂组合物，所述组合物包括：

酸敏感的第一聚合物；

由具有下述通式(I)的单体形成的第二聚合物：

其中P是可聚合的官能团；Z是选自任意取代的直链或支链脂肪族和芳香族烃及其组合的间隔单元，任选具有一个或多个选自-O-、-S-、-COO-和-CONR₁-的连接基团，其中R₁选自氢和取代及未取代C1到C10直链、支链和环状烃；n是从0到5的整数；以及R选自取代和未取代C1到C20直链、支链和状环烃；

其中所述第二聚合物是酸不敏感的且不含氟和硅，其中所述第二聚合物的表面能低于所述第一聚合物的表面能；

光致酸生成剂；和

溶剂。

2.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物，其中R以式C_nH_2n+1表示，其中n是从1到6的整数。

3.根据权利要求1或2所述的光致抗蚀剂组合物，其中P是具有下述通式结构的可聚合的官能团：

其中R₂选自氢和取代以及未取代C1到C3烷基；且X为氧或由式NR₃表示，其中R₃选自氢和取代以及未取代C1到C10直链、支链和环状烃。

4.根据权利要求3所述的光致抗蚀剂组合物，其中所述第二聚合物由选自下述的单体形成：

5.根据权利要求4所述的光致抗蚀剂组合物，其中所述第二聚合物是聚(甲基丙烯酸正丁酯。

6.根据权利要求1或2所述的光致抗蚀剂组合物，其中所述第二聚合物由选自下述的单体的：

7.根据权利要求1或2所述的光致抗蚀剂组合物，其中P是具有下述通式结构的可聚合的骨架片段：

其中R₄选自氢和取代以及未取代C1到C3烷基。

8.根据权利要求1或2所述的光致抗蚀剂组合物，其中P是具有下述通式结构的可聚合骨架片段：

其中m是从0到3的整数。

9.根据权利要求1到8中任一项所述的光致抗蚀剂组合物，其中所述第一聚合物包括可酸裂解的基团。

10.一种涂覆的基底，所述涂覆的基底包括基底和在所述基底表面上的权利要求1到9中任一项所述的光致抗蚀剂组合物层。

11.一种形成光刻图案的方法，所述方法包括：

(a)提供一种基底，所述基底包括在所述基底表面上待形成图案的一层或多层；

(B)将权利要求1到9中任一项所述的光致抗蚀剂组合物的层施加到待形成图案的一层或多层之上；

(c)将光致抗蚀剂组合物层在光化辐射下图案化曝光；

(d)在后曝光烘焙处理中加热所述已曝光的光致抗蚀剂组合物层；和

(e)将显影剂施加到所述光致抗蚀剂组合物层，其中通过所述显影剂除去所述光致抗蚀剂层的未曝光部分，在待形成图案的一层或多层上留下光致抗蚀剂图案。

12.根据权利要求11的方法，其中所述图案化曝光通过浸没光刻进行。