[发明专利]基于有机材料的二极管

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底(1)，该衬底带有第一电极(5)并具有有机材料层(7)，所述有机材料层沉积在所述衬底(1)和所述第一电极(5)的上方；以及

第二电极，所述第二电极沉积在所述有机材料层(7)的上方，

其中，所述第二电极包括电介质层(11)，所述电介质层(11)与所述有机材料层(7)由所述第二电极的材料分开。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二电极包括三个层，其中，所述电介质层(11)被夹在两个金属层(9、13)之间。

3.如权利要求1或2所述的半导体器件，其中，所述两个金属层(9、13)由不同的金属组成。

4.如权利要求1至3中任一项所述的半导体器件，其中，所述电介质层(11)包括范围在0.5nm到10nm之间的厚度，其中，所述厚度使得电子能够以隧穿方式穿越该厚度，而防止电流击穿该厚度。

5.如权利要求1至4中任一项所述的半导体器件，还包括绝缘层(3)，所述绝缘层在所述衬底(1)与所述有机材料层(7)之间。

6.如权利要求1至5中任一项所述的半导体器件，其中，所述第一电极(5)和所述第二电极各自包括条形结构并且相互交叉。

7.如权利要求1至6中任一项所述的半导体器件，还包括：

多个第一电极(5)，这些第一电极具有平行地延伸的条形结构；

多个第二电极，这些第二电极具有平行地延伸的条形结构；以及

处于所述第一电极与所述第二电极彼此交叉的位置处的多个二极管，这些二极管各自包括有机材料层(7)。

8.一种形成半导体器件的方法，包括：

在带有第一电极(5)的衬底(1)的上方形成有机材料层(7)，以及

在所述有机材料层(7)的上方形成第二电极，

其中，所述第二电极包括电介质层(11)，所述电介质层被形成在所述第二电极的至少一部分上方，从而与所述有机材料层(7)由所述第二电极的至少部分材料分开。

9.如权利要求8所述的方法，其中，形成所述第二电极的步骤还包括：

形成第一金属的层，

在所述第一金属的层的顶上形成所述电介质层(11)，以及

在所述电介质层(11)的顶上形成第二金属的层。

10.如权利要求8或9所述的方法，还包括：在所述衬底(1)上形成绝缘层(3)。

11.如权利要求8至10中任一项所述的方法，还包括：以条形来形成所述第一电极(5)和所述第二电极，使得它们彼此交叉形成交叉棒阵列。

12.如权利要求8至11中任一项所述的方法，包括：在所述衬底上在同一个工艺过程中形成下述各项：

多个第一电极(5)，这些第一电极具有平行地延伸的条形结构，

多个第二电极，这些第二电极具有平行地延伸的条形结构；以及

处于所述第一电极与所述第二电极彼此交叉的位置处的多个二极管，这些二极管各自包括有机材料层(7)。