[发明专利]光电转换元件及其制造方法

权利要求书

1.一种光电转换元件，其包括：

第一半导体层，其表现出第一导电类型，并设置在基板上方的选择区域中；

第二半导体层，其表现出第二导电类型，并设置成与所述第一半导体层相对；及

第三半导体层，其设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间，并表现出本征导电类型，所述第三半导体层具有至少一个不与所述第一半导体层接触的角部。

2.如权利要求1所述的光电转换元件，还包括：

层间绝缘膜，其具有贯通孔并设置在所述基板上方，所述贯通孔与所述第一半导体层相对，

其中，所述第三半导体层从所述贯通孔的内部延伸到所述层间绝缘膜的上表面，且所述第三半导体层具有取决于所述贯通孔的壁面的形状的台阶结构。

3.如权利要求2所述的光电转换元件，其中，

所述第三半导体层的位于所述层间绝缘膜侧的表面是平坦的，且

所述角部是所述第三半导体层的位于所述基板侧的末端边缘部。

4.如权利要求2或3所述的光电转换元件，其中，

所述贯通孔的位于所述基板侧的开口设置成在沿着所述基板表面的方向上包围所述第一半导体层的形成区域的外部。

5.如权利要求2所述的光电转换元件，其中，

所述第三半导体层的位于所述层间绝缘膜侧的表面形状在沿着垂直于所述基板表面的方向的剖面中是阶梯形状，且

所述角部是所述第三半导体层的位于所述基板侧的末端边缘部或者是所述第三半导体层的朝向所述层间绝缘膜侧凸出的凸出部。

6.如权利要求5所述的光电转换元件，其中，

在所述阶梯形状中的多个台阶部中，至少一个台阶部比最靠近所述基板的台阶部大。

7.如权利要求1所述的光电转换元件，还包括：

层间绝缘膜，其具有贯通孔并设置在所述基板的上方，所述贯通孔与所述第一半导体层相对，

其中，所述第三半导体层在所述贯通孔中设置成与所述贯通孔的壁面分开。

8.如权利要求1所述的光电转换元件，其中，

所述光电转换元件是正-本征-负光电二极管。

9.一种光电转换元件的制造方法，其包括以下步骤：

在基板上方的选择区域中形成表现出第一导电类型的第一半导体层；

在所述第一半导体层上形成第三半导体层，所述第三半导体层具有至少一个不与所述第一半导体层接触的角部，并且所述第三半导体层表现出本征导电类型；及

在所述第三半导体层上形成表现出第二导电类型的第二半导体层。

10.如权利要求9所述的光电转换元件的制造方法，所述方法还包括以下步骤：

在形成所述第一半导体层之后且在形成所述第三半导体层之前，在所述基板上方形成层间绝缘膜，所述层间绝缘膜具有贯通孔，所述贯通孔与所述第一半导体层相对，

其中，在形成所述第三半导体层的步骤中，所述第三半导体层形成为从所述贯通孔的内部延伸到所述层间绝缘膜的上表面。

11.如权利要求10所述的光电转换元件的制造方法，其中，

在形成所述层间绝缘膜的步骤中，通过一个蚀刻处理步骤形成所述贯通孔，使得所述贯通孔的壁面是平坦表面。

12.如权利要求10或11所述的光电转换元件的制造方法，其中，

所述贯通孔形成为使得所述贯通孔在所述基板侧的开口在沿着所述基板表面的方向上包围所述第一半导体层的形成区域的外部。

13.如权利要求10所述的光电转换元件的制造方法，其中，

在形成所述层间绝缘膜的步骤中，通过两个以上蚀刻处理步骤形成所述贯通孔，使得所述贯通孔的壁面的形状是阶梯形状。

14.如权利要求13所述的光电转换元件的制造方法，其中，

所述贯通孔形成为使得所述阶梯形状中的多个台阶部中的至少一个台阶部比所述多个台阶部中的最靠近所述基板的台阶部大。

15.如权利要求9所述的光电转换元件的制造方法，还包括以下步骤：

在形成所述第一半导体层之后且在形成所述第三半导体层之前，在所述基板上方形成层间绝缘膜，所述层间绝缘膜具有贯通孔，所述贯通孔与所述第一半导体层相对，

其中，在形成所述第三半导体层的步骤中，所述第三半导体层在所述层间绝缘膜的所述贯通孔中形成为与所述贯通孔的壁面分开。