[发明专利]涂胶工艺的缺陷监控方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体工艺技术领域，尤其涉及一种涂胶工艺的缺陷监控方法。

背景技术

光刻工艺是半导体加工工艺中的重要步骤，光刻工艺主要包括：涂胶、曝光、显影等。涂胶工艺过程中的缺陷监控是光刻工艺控制中的重点，对于提高产品良率有着重要意义。

现有技术中涂胶工艺主要包括：在半导体衬底上静态喷涂预定量(如2cc)的有机溶剂；然后高速旋转该半导体衬底，使得有机溶剂在半导体衬底表面洒开，在有机溶剂洒开的同时，在半导体衬底的表面上同时喷涂光刻胶，由于有机溶剂的润滑作用，光刻胶可以迅速地铺满整个半导体衬底表面，达到理想的喷涂效果。

涂胶工艺中由于有机溶剂的质量问题或是设备的问题，可能会产生小气泡(tiny bubble)等缺陷，会对后续的光刻过程造成影响。现有技术中常规的缺陷监控方法是在涂胶之后首先进行曝光和显影，然后再进行缺陷扫描，但是该方法存在漏扫问题，发现缺陷的概率很低。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种涂胶工艺的缺陷监控方法，提高发现缺陷的概率，减少或避免漏扫。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种涂胶工艺的缺陷监控方法，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上喷涂有机溶剂；

在所述半导体衬底上旋涂光刻胶；

在旋涂光刻胶之后，曝光之前，对所述光刻胶进行缺陷扫描。

可选地，使用扫描电镜对所述光刻胶进行缺陷扫描。

可选地，所述缺陷扫描过程为暗场扫描。

可选地，所述有机溶剂包括1-甲氧基-2-丙醇乙酸酯和1-甲氧基-2-丙醇的混合物。

可选地，所述有机溶剂中1-甲氧基-2-丙醇乙酸酯的重量百分比为29％至31％，1-甲氧基-2-丙醇的重量百分比为69％至71％。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：

本发明实施例的涂胶工艺的缺陷监控方法中，在涂胶之后、曝光之前对光刻胶进行缺陷扫描，避免了曝光、显影阶段造成的缺陷对监控结果的干扰；而且由于缺陷扫描过程是在曝光、显影之前，因此，涂胶过程中的缺陷密度并不会被稀释，有利于提高发现缺陷的概率。

进一步地，本发明实施例的涂胶工艺的缺陷监控方法采用的是暗场扫描，其扫描速度较快，有利于降低缺陷扫描的时间开销，提高效率。

附图说明

图1是本发明实施例的涂胶工艺的缺陷监控方法的流程示意图；

图2至图4是本发明实施例的涂胶工艺的缺陷监控方法中各步骤的剖面结构示意图。

具体实施方式

现有技术中是在曝光和显影之后进行缺陷扫描，由于显影后缺陷密度被大幅稀释，较难发现涂胶工艺过程中所造成的缺陷，而且即使发现了缺陷，也很难判定是涂胶工艺过程中造成的缺陷还是显影过程中造成的缺陷，不利于涂胶工艺的监控。

本发明实施例的涂胶工艺的缺陷监控方法中，在涂胶之后、曝光之前对光刻胶进行缺陷扫描，避免了曝光、显影阶段造成的缺陷对监控结果的干扰；而且由于缺陷扫描过程是在曝光、显影之前，因此，涂胶过程中的缺陷密度并不会被稀释，有利于提高发现缺陷的概率。

进一步地，本发明实施例的涂胶工艺的缺陷监控方法采用的是暗场扫描，其扫描速度较快，有利于降低缺陷扫描的时间开销，提高效率。

下面结合具体实施例和附图对本发明作进一步说明，但不应以此限制本发明的保护范围。

图1示出了本实施例的涂胶工艺的缺陷监控方法，包括：

步骤S11，提供半导体衬底；

步骤S12，在所述半导体衬底上喷涂有机溶剂；

步骤S13，在所述半导体衬底上旋涂光刻胶；

步骤S14，在旋涂光刻胶之后，曝光之前，对所述光刻胶进行缺陷扫描。

图2至图4示出了本实施例涂胶工艺的缺陷监控方法的流程示意图，下面结合图1和图2至图4对本实施例进行详细说明。

结合图1和图2，执行步骤S11，提供半导体衬底10。半导体衬底10可以是硅衬底、锗硅衬底、III-V族元素化合物衬底、或绝缘体上硅结构，或本领域技术人员公知的其他半导体材料衬底，本实施例中所采用的是空白的硅片，即控片。

之后执行步骤S12，在半导体衬底10上喷涂有机溶剂。本实施例中该有机溶剂为RRC溶剂，其组成成分包括1-甲氧基-2-丙醇乙酸酯和1-甲氧基-2-丙醇的混合物，其中1-甲氧基-2-丙醇乙酸酯的重量百分比为29％至31％，1-甲氧基-2-丙醇的重量百分比为69％至71％。