[发明专利]具有硅通孔(TSV)的器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201110218303.7 | 申请日： | 2011-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN102420210A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 余振华;邱文智;廖鄂斌;吴仓聚 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 硅通孔 tsv 器件 及其 形成 方法 | ||
1.一种器件，包括：
硅衬底；
硅通孔(TSV)结构，穿透所述硅衬底；以及
绝缘结构，形成在所述硅衬底和所述TSV结构之间，
其中，在所述绝缘结构和所述硅衬底之间的第一界面具有小于5nm的峰谷高度的界面粗糙度，以及所述绝缘结构和所述TSV结构之间的第二界面具有小于5nm的峰谷高度的界面粗糙度。
2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述绝缘结构包括与所述硅衬底相邻的第一绝缘层以及与所述TSV结构相邻的第二绝缘层。
3.根据权利要求2所述的器件，其中，所述第二绝缘层的各向同性蚀刻率大于所述第一绝缘层的各向同性蚀刻率。
4.根据权利要求2所述的器件，其中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间的第三界面具有大于10nm的峰谷高度的界面粗糙度。
5.根据权利要求2所述的器件，其中，所述第一绝缘层是氧化物层，所述第二绝缘层是氧化物层。
6.根据权利要求1所述的器件，其中，所述TSV结构包括铜层。
7.根据权利要求6所述的器件，其中，所述TSV结构包括环绕所述铜层的扩散阻挡层。
8.根据权利要求1所述的器件，还包括：第一管芯，电连接至所述硅衬底的第一侧。
9.根据权利要求8所述的器件，还包括：第二管芯，电连接至所述硅衬底的第二侧，所述第二侧与所述硅衬底的第一侧相对。
10.一种方法，包括：
形成开口，所述开口从硅衬底的顶表面延伸到所述硅衬底中预定深度；
沿着所述开口的侧壁和底部在所述硅衬底上形成绝缘结构；
在所述绝缘结构上形成导电层，以填充所述开口；
其中，在所述绝缘结构和所述硅衬底之间的第一界面具有小于5nm的峰谷高度的界面粗糙度，以及所述绝缘结构和所述导电层之间的第二界面具有小于5nm的峰谷高度的界面粗糙度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110218303.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：适用于低分子量气体的离心压缩机叶片及压缩机
- 下一篇：一种潮间带风机吊装工艺
