[发明专利]一种碳化硅滑板及其制备方法

权利要求书

1.一种碳化硅滑板，其成分质量百分比为：

碳化硅粒度3～5mm 15～25％，粒度1～3mm 30～40％，

氧化铝颗粒，粒度不大于1mm  10～20％，

氧化铝粉  粒度不大于325目  10～16％，

碳素材料  8～16％，

防氧化剂  3～7％，

外加结合剂  4～7％。

2.如权利要求1所述的碳化硅滑板，其特征在于，所述的碳化硅中SiC质量百分含量不小于96％。

3.如权利要求1所述的碳化硅滑板，其特征在于，所用的氧化铝颗粒包括高铝矾土、棕刚玉、亚白刚玉、白刚玉、板状刚玉中一种以上，其中高铝矾土中Al₂O₃质量百分含量不小于88％，棕刚玉和亚白刚玉中Al₂O₃质量百分含量不小于91％，白刚玉和板状刚玉中Al₂O₃质量百分含量不小于96％。

4.如权利要求1所述的碳化硅滑板，其特征在于，所述的氧化铝粉为白刚玉、板状刚玉、活性氧化铝中一种以上。

5.如权利要求1所述的碳化硅滑板，其特征在于，所述的碳素材料包括石墨、焦炭、炭黑中一种以上，粒度不大于325目。

6.如权利要求1所述的碳化硅滑板，其特征在于，所述的防氧化剂为金属硅粉和铝粉中一种以上。

7.如权利要求1所述的碳化硅滑板，其特征在于，所述的结合剂包括煤焦油、沥青、酚醛树脂、有机硅树脂中一种以上。

8.如权利要求1所述的碳化硅滑板的制备方法，按上述配比将原料中的氧化铝粉、碳素材料、防氧化剂进行预混制成混合粉，再按碳化硅颗粒、氧化铝颗粒→结合剂→混合粉的加料顺序进行混练，困料后机压成型，砖坯经干燥后经1350℃～1450℃还原气氛中烧成碳化硅滑板，该还原气氛中氧气浓度低于一氧化碳浓度。