[发明专利]具有多层发光叠层的发光元件有效
| 申请号： | 201110217299.2 | 申请日： | 2011-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN102916088A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 林义杰;李荣仁 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 多层 发光 元件 | ||
1.发光元件包括：
第一发光层，具有第一能隙；以及
第二发光层，位于该第一发光层之上，具有第二能隙，其中该第一能隙与该第二能隙的能隙差介于0.3eV与0.5eV之间。
2.如权利要求1所述的发光元件，其中该第一能隙小于或大于该第二能隙。
3.如权利要求1所述的发光元件，其中该第一发光层包括第一量子阱与第二量子阱交互堆叠以形成该第一发光层。
4.如权利要求3所述的发光元件，其中该第一量子阱具有第一量子阱能隙，该第二量子阱具有第二量子阱能隙，该第一量子阱能隙与该第二量子阱能隙的能隙差介于0.06eV与0.1eV之间。
5.如权利要求1所述的发光元件，其中该第二发光层包括第三量子阱与第四量子阱交互堆叠以形成该第二发光层。
6.如权利要求5所述的发光元件，其中该第三量子阱具有第三量子阱能隙，该第四量子阱具有第四量子阱能隙，该第三量子阱能隙与该第四量子阱能隙的能隙差介于0.06eV与0.1eV之间。
7.如权利要求1所述的发光元件还包括：
基板，位于该第一发光层之下；
第一半导体层，位于该基板与该第一发光层之间；
第二半导体层，位于该第一发光层与该第二发光层之间；
第三半导体层，位于该第二半导体层与该第二发光层之间；以及
第四半导体层，位于该第二发光层之上。
8.如权利要求7所述的发光元件，其中该基板的材料选自砷化镓、碳化硅与蓝宝石所构成的群组。
9.如权利要求7所述的发光元件，还包括
隧穿层或粘结层，位于该第二半导体层与该第三半导体层之间。
10.权利要求1所述的发光元件，其中该第一发光层发出不可见光与该第二发光层发出可见光。
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