[发明专利]磁存储器元件及其制造方法无效
| 申请号： | 201110217230.X | 申请日： | 2011-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN102376738A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 大森广之;细见政功;别所和宏;肥后丰;山根一阳;内田裕行 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L27/22 | 分类号： | H01L27/22;H01L43/08;H01L43/12;G11C11/15 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁存储器 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一种磁存储器元件，包括：
存储层，在层表面上具有垂直磁化，其磁化方向根据信息而改变；以及
参考层，通过非磁性层与所述存储层相对设置，所述参考层为信息的基准，而且在层表面上具有垂直磁化，
其中，所述存储器元件通过电流在所述存储层、所述非磁性层以及所述参考层构成的层间流动时所产生的自旋扭矩反转所述存储层的磁化来存储信息，以及
所述存储层在存储时的温度下的矫顽力为室温下矫顽力的0.7倍以下，
在所述存储层的一侧上形成的电极的层面方向上的中央部的热导率低于其周边部的热导率。
2.根据权利要求1所述的磁存储器元件，其中，所述电极形成为大致上具有中央部的厚度小于周边部的厚度的凹形截面，并且低热导率的绝缘体被填充到形成于所述中央部的凹陷部分中。
3.根据权利要求1所述的磁存储器元件，其中，所述电极形成为管状，并且在所述管状的内部填充有低热导率的绝缘体。
4.一种磁存储器元件的制造方法，所述磁存储器元件包括：存储层，在层表面上具有垂直磁化，其磁化方向根据信息而改变；以及参考层，通过非磁性层与所述存储层相对设置，所述参考层为信息的基准，而且在层表面上具有垂直磁化，其中，所述存储器元件通过电流在所述存储层、所述非磁性层以及所述参考层构成的层间流动时所产生的自旋扭矩反转所述存储层的磁化来存储信息，所述方法包括：
在所述参考层侧的电极上形成至少具有所述参考层、所述非磁性层和所述存储层的层结构，将所述层结构形成为使得所述存储层在存储时的温度下的矫顽力为室温下矫顽力的0.7倍以下；以及
在所述存储层的一侧上形成另一电极，所述另一电极中填充有低热导率的绝缘体，使得所述另一电极的层面方向上的中央部的热导率低于其周边部的热导率。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
