[发明专利]半导体背面用切割带集成膜和生产所述膜的方法,及生产半导体器件的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体背面用切割带集成膜和生产所述膜的方法。所述半导体背面用膜用于保护半导体元件如半导体芯片的背面和提高其强度。本发明还涉及生产半导体器件的方法。 

背景技术

近年来，日益要求半导体器件及其封装的薄型化和小型化。因此，作为半导体器件及其封装，已经广泛地利用其中借助于倒装芯片接合将半导体元件例如半导体芯片安装(倒装芯片连接)于基板上的倒装芯片型半导体器件。在此类倒装芯片连接中，将半导体芯片以该半导体芯片的电路面与基板的电极形成面相对的形式固定至基板。在此类半导体器件等中，可能存在半导体芯片的背面用保护膜保护以防止半导体芯片损坏等的情况(参见，专利文献1至3)。 

专利文献1：JP-A-2008-166451 

专利文献2：JP-A-2008-006386 

专利文献3：JP-A-2007-261035 

然而，为了通过保护膜保护半导体芯片的背面，必须增加将所述保护膜粘贴至切割步骤中获得的半导体芯片的背面的新步骤。结果，加工步骤的数量增加和生产成本等增加。因此，为了降低生产成本的目的，本发明人开发了一种半导体背面用切割带集成膜，且对所述膜提交了专利申请(该申请在本申请提交时是未公开的)。该半导体背面用切割带集成膜具有包括以下的结构：具有基材和层压在所述基材上的压敏粘合剂层的切割 带，和在切割带的压敏粘合剂层上形成的倒装芯片型半导体背面用膜。 

为了生产半导体器件，通常如下使用半导体背面用切割带集成膜。首先，将半导体晶片粘贴至半导体背面用切割带集成膜中的倒装芯片型半导体背面用膜上。接着，切割半导体晶片以形成半导体芯片。随后，将所述半导体芯片与所述倒装芯片型半导体背面用膜一起从所述切割带的压敏粘合剂层剥离并拾取，然后将所述半导体芯片倒装芯片连接至被粘物如基板上。由此，获得倒装芯片型半导体器件。 

此处，为了确认切割后是否存在在获得的半导体芯片中发生的任何不足如碎裂(chipping)等，半导体背面用切割带集成膜可以从其切割带侧(与粘至半导体芯片的一侧相对)用光学显微镜或通过IR照射来检查。然而，在常规器件中，切割带的基材经常看起来发白和浑浊，在这种情况下，可见度在从切割带侧的观察中不能说是令人满意的，半导体图像可能不清楚，因此情况是，不能检测半导体芯片的不足。 

发明内容

考虑到前述问题进行本发明，其目的是提供半导体背面用切割带集成膜，及其生产方法，和生产使用该膜的半导体器件的方法，所述半导体背面用切割带集成膜在切割步骤后的半导体芯片检查中具有高透光率且半导体芯片图像的可见度优良。 

为了解决前述问题，本发明人进行了广泛和深入的研究，结果，得出以下内容。在生产半导体背面用切割带集成膜的前置阶段中，将基材卷绕成卷形物(roll)，为了防止基材彼此粘连的目的及为了通过基材表面的凹凸加工处理来优化其加工性，将基材特定地加工从而在其表面上形成凹凸，例如，通过压花 等，由于凹凸加工处理，切割带的基材将看起来发白和浑浊。 

源于上述感知，发明人进一步发现，当采用以下构造时，则能够提供半导体背面用切割带集成膜，并完成了发明，所述半导体背面用切割带集成膜在切割步骤后的检查步骤中具有高透光率且半导体芯片图像的可见度优良。 

即，本发明提供一种半导体背面用切割带集成膜(下文中称为“集成膜”)，其包括：切割带和半导体背面用膜，所述切割带包含具有凹凸加工面的基材和层压在所述基材上的压敏粘合剂层，所述半导体背面用膜层压于所述切割带的压敏粘合剂层上，其中所述切割带具有至多45％的雾度。在所述集成膜中，包含具有凹凸加工面的基材和压敏粘合剂层的切割带的雾度为至多45％，因此，可以提高在半导体芯片的检查步骤中所述膜的透光率。结果，可以改进通过用光照射的半导体芯片的可见度，且可以有效地检测半导体芯片中不足的发生。在本发明中，光具有包括IR射线的概念。 

优选地，将压敏粘合剂层层压在基材的凹凸加工面上。具体地采用该构造使得易于控制切割带的雾度落入本发明限定的范围内。具体地，通过粘合基材的凹凸加工面和层压在其上的压敏粘合剂层，凹凸加工面和压敏粘合剂层彼此紧密接合，可填满两者之间的间隙。因此，可以防止透过切割带的光散射，由此可以提高切割带的透过率从而降低其雾度。