[发明专利]太阳电池的制造方法无效
申请号: | 201110216943.4 | 申请日: | 2011-07-22 |
公开(公告)号: | CN102254999A | 公开(公告)日: | 2011-11-23 |
发明(设计)人: | 黄明政;黄明义;林汉涂 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;鲍俊萍 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳电池 制造 方法 | ||
1.一种太阳电池的制造方法,其特征在于,包括:
提供一基板,并于该基板上形成一基底电极;
于该基底电极上形成一铜铟镓硒结晶层;
对该铜铟镓硒结晶层的表面进行一化学机械研磨工艺,以平坦化该铜铟镓硒结晶层的表面;
于已平坦化的该铜铟镓硒结晶层表面上形成一缓冲层;以及
于该缓冲层上形成一透明导电层。
2.根据权利要求1的所述的太阳电池的制造方法,其特征在于,该铜铟镓硒结晶层经该化学机械研磨工艺后的厚度偏差小于0.1微米。
3.根据权利要求1的所述的太阳电池的制造方法,其特征在于,该铜铟镓硒结晶层经该化学机械研磨工艺后的表面能隙大于或等于1.3eV。
4.根据权利要求1的所述的太阳电池的制造方法,其特征在于,该铜铟镓硒结晶层经该化学机械研磨工艺后的能隙实质上介于1.3eV至1.68eV之间。
5.根据权利要求1的所述的太阳电池的制造方法,其特征在于,该铜铟镓硒结晶层经该化学机械研磨工艺后的膜厚介于1.5微米至2.5微米之间。
6.根据权利要求1的所述的太阳电池的制造方法,其特征在于,形成该缓冲层的方法为干沉积。
7.根据权利要求6的所述的太阳电池的制造方法,其特征在于,形成该缓冲层的干沉积方法包括化学气相沉积或物理气相沉积。
8.根据权利要求1的所述的太阳电池的制造方法,其特征在于,该铜铟镓硒结晶层为P型半导体,且该缓冲层为N型半导体。
9.根据权利要求1的所述的太阳电池的制造方法,其特征在于,该缓冲层的材料包括硫化镉、硫化锌,该基底电极的材料包括钼、钛、钨或铝。
10.根据权利要求1的所述的太阳电池的制造方法,其特征在于,该透明导电层的材料包括氧化锌、铝氧化锌或铟锡氧化物。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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