[发明专利]太阳能电池硅薄膜制备方法及实现该方法的装置

权利要求书

1.一种太阳能电池硅薄膜制备方法，其特征在于：通过水平传动装置带动太阳能电池基板作匀速直线运动，使给粉装置送出的硅粉均匀覆于基板上；在基板移动过程中，利用高能线激光光束照射基板，使覆于基板表面的硅粉在经过高能线激光光束照射区域时熔融，移出光束区后通过再结晶过程，在基板表面形成硅薄膜。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池硅薄膜制备方法，其特征在于所述高能线激光光束由功率为1000～2000瓦，波长为1064nm的激光器经光束整形、准直和聚焦得到。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池硅薄膜制备方法，其特征在于所述给粉装置的送分量为40～50克/分钟，基板移动速度为480～600毫米/分钟，硅粉涂层宽50毫米；激光器功率为1000～2000瓦，波长为1064nm，高能线激光光束线宽为0.6～0.8毫米，长度与硅粉涂层的宽度相同。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池硅薄膜制备方法，其特征在于给粉装置的送分量为50克/分钟，基板移动速度为480毫米/分钟，硅粉涂层宽50毫米；激光器功率为1000瓦，波长为1064nm，高能线激光光束线宽为0.6mm，长度与硅粉涂层的宽度相同。

5.根据权利要求3所述的太阳能电池硅薄膜制备方法，其特征在于给粉装置的送分量为40克/分钟，基板移动速度为500毫米/分钟，硅粉涂层宽50毫米；激光器功率为2000瓦，波长为1064nm，高能线激光光束线宽为0.8mm，长度与硅粉涂层的宽度相同。

6.一种太阳能电池硅薄膜制备装置，其特征在于包括基板(2)，水平传动装置(1)，给粉装置(4)，高能线激光光源(5)；所述的基板(2)固定于水平传动装置(1)上，给粉装置(4)和高能线激光光源(5)位于基板(2)的上方；基板(2)在水平传动装置(1)的带动下作直线移动，使给粉装置(4)送出的硅粉均匀覆于基板(2)上；高能线激光光源(5)发出的线激光光束照射到基板(2)上，使覆于基板(2)表面的硅粉在经过高能线激光光束照射区域时熔融。

7.根据权利要求6所述的太阳能电池硅薄膜制备装置，其特征在于所述给粉装置(4)包括恒压装置(45)、粉盒(41)及插板(43)；所述粉盒(41)的上部通过气管(44)接恒压装置(45)，粉盒(41)的下部开有长条形给粉孔(42)，给粉孔(42)处安装可沿垂直于给粉孔长度方向移动的插板(43)。

8.根据权利要求7所述的太阳能电池硅薄膜制备装置，其特征在于所述恒压装置(45)采用带有压力阀的气泵。