[发明专利]带双凸点的四边扁平无引脚双IC芯片封装件及其生产方法

权利要求书

1.一种带双凸点的四边扁平无引脚双IC芯片封装件，包括引线框架载体、粘片胶、IC芯片、内引脚、键合线、及塑封体，其特征在于所述的内引脚（4）向内延伸靠近所述的载体（1），载体（1）缩小，载体（1）上粘接有第一IC芯片（3），第一IC芯片（3）上端粘接第二IC芯片（8），所述内引脚底部的凹坑（16）长度加长，每只内引脚（4）在靠近载体一侧底面形成一外露的凸点（15），每只内引脚（4）的外侧形成一外露的柱形外引脚（10），所述外露凸点(15)上面的内引脚呈柱形内引脚（4），柱形内引脚（4）上打接第一键合线（5）和第三键合线（12），第一键合线（5）另一端与第一IC芯片（3）焊接，所述第三键合线（12）另一端与所述第二IC芯片（8）焊接。

2.根据权利要求1所述的一种带双凸点的四边扁平无引脚双IC芯片封装件，其特征在于所述第一IC芯片（3）与第二IC芯片（8）之间连接有第二键合线（9）。

3.根据权利要求1或2所述的一种带双凸点的四边扁平无引脚双IC芯片封装件，其特征在于所述的内引脚（4）向内延伸0.2mm～0.8mm。

4.根据权利要求1所述的一种带双凸点的四边扁平无引脚封装件，其特征在于所述的载体（1）缩小0.4mm～1.6mm。

5.根据权利要求1所述的一种带双凸点的四边扁平无引脚封装件，其特征在于所述凹坑（16）长度加长0.2mm～0.5mm，凹坑（16）的内侧是所述的外露凸点（15），凹坑（16）的外侧是所述的外露的柱形外引脚（10）。

6.一种根据权利要求1所述的带双凸点的四边扁平无引脚双IC芯片封装件的生产方法，其工艺步骤如下：

a减薄

8〞～12〞晶圆厚度减薄机，下层芯片减薄厚度200μm，粗糙度Ra 0.10mm，同常规QFN减薄；上层芯片减薄厚度100μm，粗糙度Ra 0.05mm，采用防翘曲、抛光工艺； 

b划片

8〞～12〞划片机,下层芯片减薄厚度200μm，采用普通QFN划片工艺，

上层芯片减薄厚度100μm，采用防碎片划片工艺；

 c上芯

粘片材料: 底层粘片采用膨胀系数80～195PPM/℃、低吸水率＜0.15%的导电胶或绝缘胶，上层芯片采用绝缘胶或胶膜片，引线框架选用带双凸点的四面扁平无引脚框架,分别采用防分层烘烤工艺，烘烤温度175℃1～3小时；

d.压焊

焊线材料选用金线,压焊采用低弧度压焊工艺,高低弧正反打线方式,焊线温度150℃～210℃；先在金线键合机上给第二IC芯片（8）和第一IC芯片（3）间焊线的焊盘上各植1 个金球，然后给第二IC芯片（8）和第一IC芯片（3）已植金球间打第二键合线（9），最后给第一IC芯片（3）、第二IC芯片（8）和对应的内引脚间打第一键合线（5）和第三键合线（12）；

e.塑封

采用通用QFN自动包封系统,选用低应力、低吸水率的塑封料, 模温165℃～180℃,注塑压力30～35Kgf/C㎡；

f.电镀和打印

同普通QFN工艺；

g.切割

将矩阵式框架封装产品按产品设计规格切割成单个电路,经检查后,放入料盘。

7.根据权利要求6所述的一种带双凸点的四边扁平无引脚封装件的生产方法，其特征在于所述步骤c上芯的上层芯片采用胶膜片时，上层芯片烘烤温度150℃2.5小时。