[发明专利]制备具有均匀厚度器件层的衬底的方法有效
| 申请号： | 201110215676.9 | 申请日： | 2011-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN102386123A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 魏星;张鹏;曹共柏 | 申请（专利权）人： | 上海新傲科技股份有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 孙佳胤;翟羽 |
| 地址： | 201821 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 具有 均匀 厚度 器件 衬底 方法 | ||
1.一种制备具有均匀厚度器件层的衬底的方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供外延衬底和支撑衬底，所述外延衬底的材料为半导体材料；
在所述外延衬底表面外延生长器件层；
在所述支撑衬底和/或器件层的表面形成绝缘层；
以绝缘层为中间层，将外延衬底和支撑衬底键合在一起：
采用选择性腐蚀工艺腐蚀外延衬底至器件层与外延衬底的界面处；
在上述外延生长器件层的步骤中，所述器件层与外延衬底的材料以及导电类型相同，且器件层的掺杂浓度小于外延衬底的掺杂浓度，所采用的外延工艺是化学气相外延工艺，且外延生长时外延衬底的温度从中心向四周升高。
2.根据权利要求1所述的制备具有均匀厚度器件层的衬底的方法，其特征在于，所述外延生长器件层的步骤中，所生长的器件层的厚度大于最终产品的器件层目标厚度。
3.根据权利要求2所述的制备具有均匀厚度器件层的衬底的方法，其特征在于，在选择性腐蚀的步骤之后，进一步包括抛光器件层表面的步骤。
4.根据权利要求1所述的制备具有均匀厚度器件层的衬底的方法，其特征在于，所述外延衬底和器件层的材料是单晶硅。
5.根据权利要求1所述的制备具有均匀厚度器件层的衬底的方法，其特征在于，在选择性腐蚀的步骤之前，进一步包括研磨外延衬底的步骤，所述研磨工艺对外延衬底中心部分的去除量大于对边缘部分的去除量。
6.根据权利要求1所述的制备具有均匀厚度器件层的衬底的方法，其特征在于，在选择性腐蚀的步骤之后，进一步包括抛光器件层表面的步骤，所述抛光工艺对器件层中心部分的去除量大于对边缘部分的去除量。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
