[发明专利]一种各向同性的全介电超材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201110215443.9 | 申请日： | 2011-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN102480035A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 刘若鹏;赵治亚;缪锡根;李春来 | 申请（专利权）人： | 深圳光启高等理工研究院;深圳光启创新技术有限公司 |
| 主分类号： | H01Q15/00 | 分类号： | H01Q15/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 各向同性 全介电超 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种各向同性的全介电超材料，包括多个层叠的介质基板，其特征在于：所述介质基板上设置有多个半球形凹槽，相邻的两个介质基板上的半球形凹槽对称设置形成多个球形空穴，所述球形空穴内填充有球形颗粒状的介电材料。
2.根据权利要求1所述的各向同性的全介电超材料，其特征在于：所述介电材料为具有球形结构的陶瓷微球颗粒。
3.根据权利要求1或2所述的各向同性的全介电超材料，其特征在于：所述多个球形空穴的大小不同。
4.根据权利要求3所述的各向同性的全介电超材料，其特征在于：所述介质基板为特氟龙材料。
5.一种各向同性的全介电超材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
a.通过机械加工的方法在第一介质基板上加工出多个半球形凹槽结构；
b.在所述多个半球形凹槽结构内分别放入球形颗粒状的介电材料；
c.在第二介质基板加工出与第一介质基板对称的多个半球形凹槽结构，并将第二介质基板层叠在第一介质基板上，使球形颗粒状的介电材料处于对称设置的多个半球形凹槽结构形成的球形空穴之中；
d.重复步骤a、b、c，将多个介质基板依次层叠，得到各向同性的全介电超材料。
6.根据权利要求5所述的全介电超材料的制备方法，其特征在于，所述a步骤还包括：控制所述多个半球形凹槽结构具有预定的排布规律。
7.根据权利要求5所述的全介电超材料的制备方法，其特征在于，所述a步骤还包括：控制所述多个半球形凹槽结构具有不同的大小。
8.根据权利要求5所述的全介电超材料的制备方法，其特征在于，所述b步骤还包括：控制在各个半球形凹槽结构内放入的球形颗粒状的介电材料不同。
9.根据权利要求5所述的全介电超材料的制备方法，其特征在于，所述介电材料为陶瓷材料。
10.根据权利要求5所述的全介电超材料的制备方法，其特征在于，所述介质基板为特氟龙材料。
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