[发明专利]混合式薄膜晶体管及其制造方法以及显示面板

权利要求书

1.一种混合式薄膜晶体管，其特征在于，包括：一第一薄膜晶体管与一第二薄膜晶体管；

该第一薄膜晶体管，其包括：

一第一栅极、一第一源极以及一第一漏极；以及

一第一半导体层，该第一半导体层位于该第一栅极以及该第一源极与该第一漏极之间，其中该第一半导体层包括一结晶硅层；以及

该第二薄膜晶体管，其包括：

一第二栅极、一第二源极以及一第二漏极；以及

一第二半导体层，该第二半导体层位于该第一栅极以及该第一源极与该第一漏极之间，其中该第二半导体层包括一金属氧化物半导体材料。

2.根据权利要求1所述的混合式薄膜晶体管，其特征在于，其中该第一半导体层的该结晶硅层包括一多晶硅材料或是一微晶硅材料。

3.根据权利要求1所述的混合式薄膜晶体管，其特征在于，其中该第一半导体层还包括一硅层，其位于该结晶硅层上方，且该硅层包括一微晶硅材料或是一非晶硅材料。

4.根据权利要求1所述的混合式薄膜晶体管，其特征在于，其中该第一半导体层还包括一经过掺杂的非晶硅层，其位于该结晶硅层上方，且该经过掺杂的非晶硅层包括掺杂P型杂质的非晶硅材料。

5.根据权利要求4所述的混合式薄膜晶体管，其特征在于，其中该第二半导体层的该金属氧化物半导体材料包括氧化铟镓锌、氧化锌、氧化铟锌、氧化镓锌、氧化锌锡或氧化铟锡。

6.根据权利要求1所述的混合式薄膜晶体管，其特征在于，其中该第一半导体层还包括一经过掺杂的非晶硅层，其位于该结晶硅层上方，且该经过掺杂的非晶硅层包括掺杂N型杂质的非晶硅材料。

7.根据权利要求6所述的混合式薄膜晶体管，其特征在于，其中该第二半导体层的该金属氧化物半导体材料包括氧化锡、氧化铜铝铟镓、氧化锡铝铟、氧化铜锶、LaCuOS或LaCuOSe。

8.根据权利要求1所述的混合式薄膜晶体管，其特征在于，其中该第一薄膜晶体管以及该第二薄膜晶体管分别为一底部栅极型薄膜晶体管或是一顶部栅极型薄膜晶体管。

9.一种混合式薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

在一基板上形成一第一薄膜晶体管，其包括第一栅极、一第一源极、一第一漏极以及位于该第一栅极与该第一源极及该第一漏极之间的一第一半导体层，其中该第一半导体层包括一结晶硅层；以及

在该基板上形成一第二薄膜晶体管，其包括一第二栅极、一第二源极、一第二漏极以及位于该第一栅极与该第一源极及该第一漏极之间的一第二半导体层，其中该第二半导体层包括一金属氧化物半导体材料。

10.根据权利要求9所述的混合式薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，其中形成该第一薄膜晶体管以及该第二薄膜晶体管的方法包括：

在该基板上形成该第一栅极以及该第二栅极；

形成一绝缘层，覆盖该第一栅极以及该第二栅极；

在该第一栅极上方的该绝缘层上形成该第一半导体层，该第一半导体层包括该结晶硅层；

在该第二栅极上方的该绝缘层上形成该第二半导体层；以及

在该第一半导体层上形成该第一源极以及该第一漏极，且在该第二半导体层上形成该第二源极以及该第二漏极。

11.根据权利要求10所述的混合式薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，其中该第一半导体层还包括位于该结晶硅层上的一硅层或是一经过掺杂的非晶硅层，该硅层包括一微晶硅材料或是一非晶硅材料。

12.根据权利要求11所述的混合式薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，其中形成该经过掺杂的非晶硅层的方法包括沉积一具有掺杂物的非晶硅层。

13.根据权利要求10所述的混合式薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，其中在形成该第二源极以及该第二漏极之前，还包括在该第二半导体层上形成一蚀刻终止层。