[发明专利]非晶硅太阳能电池生产中沉积光伏吸收层的工艺有效
| 申请号： | 201110214546.3 | 申请日： | 2011-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN102315336A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 李兆廷;林宏达;陈启聪;陈锦泓;王毓婷 | 申请（专利权）人： | 东旭集团有限公司;成都泰轶斯太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/20 | 分类号： | H01L31/20;C23C16/24;C23C16/52 |
| 代理公司： | 深圳市智科友专利商标事务所 44241 | 代理人： | 曲家彬 |
| 地址： | 050021 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 非晶硅 太阳能电池 生产 沉积 吸收 工艺 | ||
1.非晶硅太阳能电池生产中沉积光伏吸收层的工艺，包括借助等离子增强化学气相沉积室在玻璃衬底(1)上依次沉积P层(2)、i层和N层(5)，其特征在于：所述的i层分两层制备，以硅烷和氢气作为反应气体，掺杂气体为TMB和磷烷，上述反应气体、TMB、及磷烷的体积百分比分别为：
反应气体 97.2～97.8％
TMB 1.8～2.1％
磷烷 0.1～1％
所述的工艺步骤中包括：
A、设定沉积室中反应气体H2/SiH4的稀释比为(0.8～1.1)∶1，在P层(2)上沉积厚度为120～150nm的第一i层(3)；
B、改变反应气体H2/SiH4的稀释比为(8～12)∶1，再在第一i层(3)上沉积厚度为120～150nm的第二i层(4)。
2.根据权利要求1所述的非晶硅太阳能电池生产中沉积光伏吸收层的工艺，其特征在于：等离子增强化学气相沉积室的室内反应气压为30～100Pa，衬底温度为180～220℃，功率密度为0.02～0.03W/CM2，激发等离子的射频电源的频率是40.5～40.8MH。
3.根据权利要求1所述的非晶硅太阳能电池生产中沉积光伏吸收层的工艺，其特征在于：所述的P层(2)的厚度为10～40nm。
4.根据权利要求1所述的非晶硅太阳能电池生产中沉积光伏吸收层的工艺，其特征在于：N层(5)的厚度为20～50nm。
5.根据权利要求1所述的非晶硅太阳能电池生产中沉积光伏吸收层的工艺，其特征在于：反应气体中硅烷的纯度为99.8～99.99％。
6.根据权利要求1所述的非晶硅太阳能电池生产中沉积光伏吸收层的工艺，其特征在于：所述的TMB是经过氢稀释的。
7.根据权利要求1所述的非晶硅太阳能电池生产中沉积光伏吸收层的工艺，其特征在于：所述的磷烷是经过氢稀释的。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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