[发明专利]被加工基板、其制造方法及光阻图案的形成方法有效

专利信息
申请号: 201110214208.X 申请日: 2011-07-22
公开(公告)号: CN102419510A 公开(公告)日: 2012-04-18
发明(设计)人: 渡边聪;吉川博树 申请(专利权)人: 信越化学工业株式会社
主分类号: G03F1/50 分类号: G03F1/50;G03F7/00
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 聂宁乐;向勇
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 加工 制造 方法 图案 形成
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种形成有电子束光阻膜和有机导电性膜的被加工基板(加工用前驱体基板)、所述被加工基板的制造方法及采用了所述被加工基板来进行的光阻图案的形成方法,所述被加工基板具有金属膜或金属化合物膜,所述金属膜或金属化合物膜是通过电子束光刻法(lithography)进行微细加工而成;本发明特别涉及一种空白光罩(photo mask blank(光罩基材)),其形成有电子束用光阻膜和有机导电性膜,所述空白光罩用以制造光罩,所述光罩是用于半导体集成电路、CCD(电荷耦合组件)、LCD(液晶显示组件)用滤色片、磁头等的微细加工中。

背景技术

近年来,在进行半导体加工时,特别因为大规模集成电路的高集成化,因而越来越必须使电路图案微细化,而越来越需要提高线路图案的细线化技术和接触孔图案的微细化技术,所述线路图案用以构成电路,所述接触孔图案用于层间的线路,所述层用以构成单元。因此,在制造光罩时也寻求一种技术,所述技术可随着所述微细化来更微细且正确地形成电路图案,所述光罩在光刻法中使用且形成有电路图案,所述光刻法用以形成此等线路图案和接触孔图案。

然而,上述光罩的加工步骤,一般通过以下方法来进行:在几乎不会吸收用以进行曝光的光线的透明基板和相反地反射用以进行曝光的光线的基板上,在形成有遮光膜和相移(phase shift)膜等光学膜的空白光罩上形成光阻膜,然后进行电子束照射,而形成光阻图案,并且通过蚀刻来将光阻图案转移至所述遮光膜和相移膜。

此加工步骤中所进行的通过照射电子束来形成光阻图案,必须在极为正确的位置进行,但是由于通常所使用的光阻膜是绝缘物,所以有时在光阻膜会发生电荷蓄积(充电(charge up))。而且,受到此充电的影响,而使照射在空白光罩表面上的电子束偏移,以致于所形成的光阻图案的位置稍微偏离,即成为光阻图案的精度降低的原因。

因为通过电子束在光阻膜上形成图案时会发生充电,为了防止所述充电,已知在光阻膜上设置导电性聚合物层后,才照射电子束的方法相当有效,例如:日本特开平8-109351号公报和日本特开2006-117925号公报公开一种方法,其即便在化学增幅型光阻上也可适用。

电子束光刻法,在目前为止的空白光罩的加工中也是常用技术,但是如以上所述的充电的问题,不采取于光阻膜上设置有机导电性膜的方法,而通常采取以下方法:通过使空白光罩的表层的无机薄膜具有某种程度的导电性,而透过所述表层的导电性无机薄膜来将光阻膜的充电去除。

即,一般来说,当消除电子束扫描中的空白光罩表面带电时,采取以下方法:在空白光罩的端部附近的导电性无机薄膜表面进行接地,来将进行扫描中的逐渐蓄积在空白光罩表面的电荷去除,而防止充电,所述空白光罩被装设于台座。

然而,如以上所述,由于随着光罩图案的微细化的进展与提高照射电子束时的通量(throughput)的要求,描绘光阻图案时所使用的电子束照射,朝向以下方向进行:以可获得更高的分辨性(分辨率)的方式来提高加速电压,并且为了防止由此所造成的感度降低,而提高每单位面积的电流量。此每单位面积的电流量的增加,会使所述的充电的问题更容易发生,且只是从光阻膜底部透过空白光罩的表层来去除静电,已逐渐变得不充分。

发明内容

本发明是鉴于上述原因而提出的,其目的在于提供一种被加工基板,可高效地去除静电,并且即便进行高电流密度的电子束照射,也可稳定地形成高精度光阻图案。

为了解决所述问题,本发明人尝试过以下方式后,仍然无法获得充分的除静电效果:在进行空白光罩的光刻法时,以即便每单位面积的电流量增加也不会发生充电的方式,于空白光罩上形成电子束用光阻膜,进一步形成有机导电性膜后,从有机导电性膜上进行接地,并通过照射电子束来进行图案形成,所述空白光罩在表层具有作为导电性无机薄膜的铬材料膜。此外,在形成有机导电性膜后,尝试将进行接地的部分的有机导电性膜和电子束用光阻膜予以剥离,并从铬材料膜直接进行接地,但是此时也无法获得充分的效果。

于是,本发明人,基于上述尝试无法获得充分的效果的原因是未有效率地进行去除静电的作业假设,利用以下方式来进行接地后,结果发现可充分进行去除静电,而完成本发明:在被加工基板的被加工面,设置使电子束用光阻膜的上表面与下表面的2个导电性膜直接接触的区域。

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