[发明专利]试料检查装置以及试料检查方法无效
| 申请号: | 201110212728.7 | 申请日: | 2011-07-27 |
| 公开(公告)号: | CN102403247A | 公开(公告)日: | 2012-04-04 |
| 发明(设计)人: | 西萩一夫;钩正章;上田英雄;中庸行 | 申请(专利权)人: | 株式会社堀场制作所 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01B15/02 |
| 代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
| 地址: | 日本京都市*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 检查 装置 以及 方法 | ||
1.一种试料检查装置,其特征在于包括:
椭率计部,向试料入射直线偏光,接收来自试料的反射光,对入射光与反射光之间的偏光的变化进行测定;
X射线测定部,向试料照射X射线,对来自试料的X射线进行测定;以及
分析部,根据所述椭率计部或所述X射线测定部的测定结果,进行用于求出试料的厚度的分析。
2.根据权利要求1所述的试料检查装置,其特征在于,
所述分析部包括:
厚度计算部,根据所述X射线测定部的测定结果,计算试料的厚度;以及
光学特性计算部,根据所述椭率计部的测定结果以及试料厚度的计算结果,计算试料的光学特性。
3.根据权利要求1所述的试料检查装置,其特征在于还包括入射位置调整部,当试料为多层试料时,调整所述椭率计部使直线偏光入射的位置,以使直线偏光入射至多层试料中的任一层,
所述分析部还包括:
第1计算部,根据所述椭率计部的测定结果,计算所述椭率计部使直线偏光入射的所述任一层的厚度;以及
第2计算部,根据所述X射线测定部的测定结果,计算所述多层试料中的其他层的厚度。
4.根据权利要求2所述的试料检查装置,其特征在于还包括入射位置调整部,当试料为多层试料时,调整所述椭率计部使直线偏光入射的位置,以使直线偏光入射至多层试料中的任一层,
所述分析部还包括:
第1计算部,根据所述椭率计部的测定结果,计算所述椭率计部使直线偏光入射的所述任一层的厚度;以及
第2计算部,根据所述X射线测定部的测定结果,计算所述多层试料中的其他层的厚度。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的试料检查装置,其特征在于还包括拉曼散射光测定部,向试料入射单色光,对从试料产生的拉曼散射光进行测定,
所述分析部还包括结构特性计算部,根据所述拉曼散射光测定部的测定结果,计算试料的结构特性。
6.一种试料检查方法,其特征在于,
使用具备椭率计部及X射线测定部的试料检查装置,
根据所述X射线测定部的测定结果,计算试料的厚度,
并根据所述椭率计部的测定结果以及试料厚度的计算结果,计算试料的光学特性,
所述椭率计部向平板状的试料入射直线偏光,接收来自试料的反射光,对入射光与反射光之间的偏光的变化进行测定,
所述X射线测定部向试料照射X射线,并测定来自试料的X射线。
7.根据权利要求6所述的试料检查方法,其特征在于,
当试料为多层试料时,利用所述椭率计部来对多层试料中的任意的一层测定入射光与反射光之间的偏光的变化,
利用所述X射线测定部来测定来自所述多层试料的X射线,
根据所述椭率计部的测定结果,计算所述一层的厚度,
根据所述X射线测定部的测定结果,计算所述多层试料中的其他层的厚度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





