[发明专利]基于太阳电池性能影响评估的发射层和缓冲层缺陷态密度检测方法

权利要求书

1.一种基于太阳电池性能影响评估的发射层和缓冲层缺陷态密度检测方法，其特征在于，根据非晶硅内态密度分布的原始数据建立非晶硅层中的缺陷态分布模型用于计算陷入缺陷态中的电荷，得到修正泊松方程并进一步求出空间电荷区和内建电场的变化，实现基于缺陷态密度对HIT电池性能的影响评估，从而求得最优化的缺陷态密度，用于设置工艺生产中的钝化与清洗操作。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征是，所述的缺陷态分布模型是指：根据非晶硅体材料内态密度分布的实验测量结果，建立由指数分布的带尾态和双高斯分布的悬挂键能级组成的带间缺陷态分布模型，具体为：指数分布的导带带尾态N_Ctail和价带带尾态N_Vtail：

NCtail(E)=∫EVECNOCexp(E-ECEOC)dE]]>

NVtail(E)=∫EVECNOVexp(EV-EEOV)dE,]]>其中：E_C和E_V为导、价带边，N_OC和N_OV代表在导价带边单位能量范围内的态密度，E_OC和E_OV为导价带的乌尔巴赫能量；

双高斯分布的类施主悬挂键能级N_tD和类受主悬挂键能级N_tA：

NtD=∫EVECNDexp[-(E-E0/+)22(FWHM/2)2]dE]]>

NtA=∫EVECNAexp[-(E-E-/0)22(FWHM/2)2]dE,]]>其中：N_D和N_A为缺陷态密度峰值，E^0/+与E^-/0为高斯峰能量位置，FWHM为半峰宽。