[发明专利]显示装置和显示装置的制造方法有效
| 申请号: | 201110212322.9 | 申请日: | 2011-07-21 |
| 公开(公告)号: | CN102456706A | 公开(公告)日: | 2012-05-16 |
| 发明(设计)人: | 朴鲜 | 申请(专利权)人: | 三星移动显示器株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 余朦;王艳春 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示装置 制造 方法 | ||
1.一种显示装置,包括:
衬底;
薄膜晶体管,在所述衬底上;以及
像素,与所述薄膜晶体管电耦合,
其中所述薄膜晶体管包括:
半导体层,在所述衬底上;
第一绝缘层,在所述半导体层上,并具有第一接触孔和第二接触孔;
源电极,在所述第一绝缘层上,并穿过所述第一接触孔与所述半导体层接触;
漏电极,在所述第一绝缘层上,并穿过所述第二接触孔与所述半导体层接触;
栅电极,在所述源电极与所述漏电极之间,并具有包括第一传导层和第二传导层的层叠结构;以及
第二绝缘层,在所述源电极和所述漏电极之间,并且覆盖所述栅电极。
2.如权利要求1所述的显示装置,其中所述像素包括:
第一电极,在所述第一绝缘层上,并且与所述漏电极电耦合;
有机发光层,在所述第一电极上;以及
第二电极,在所述有机发光层上。
3.如权利要求2所述的显示装置,其中所述第一电极包括:
第三传导层;以及
第四传导层,在所述第三传导层的端部上,并且与所述漏电极接触,
其中所述第一传导层和所述第三传导层包括相同的材料,并且所述第二传导层和所述第四传导层包括与所述第一传导层和所述第三传导层的材料不同的材料。
4.如权利要求2所述的显示装置,其中从所述有机发光层发射出的光线穿过所述衬底传输。
5.如权利要求2所述的显示装置,其中所述第一电极的底部、所述栅电极的底部、所述源电极的底部和所述漏电极的底部均与所述第一绝缘层接触,并且在所述第一绝缘层的表面上彼此隔开。
6.如权利要求1所述的显示装置,其中所述第一传导层包括透明传导材料,并且所述第二传导层包括金属。
7.如权利要求1所述的显示装置,其中所述第二绝缘层包围所述栅电极的横向侧和上侧。
8.如权利要求7所述的显示装置,其中所述第二绝缘层被防止与所述源电极和所述漏电极重叠。
9.如权利要求1所述的显示装置,其中所述源电极和所述漏电极中的每个均包括多个重叠的传导层。
10.一种制造显示装置的方法,包括:
在衬底上的薄膜晶体管区形成半导体层;
形成第一绝缘层,用于覆盖所述半导体层;
在所述第一绝缘层上形成与所述半导体层重叠的栅电极;
在所述衬底上的像素区形成第一电极;
在所述第一绝缘层中形成第一接触孔和第二接触孔,用于暴露所述半导体层;
形成第二绝缘层,用于覆盖所述第一绝缘层上的所述栅电极;
形成源电极,用于穿过所述第一接触孔与所述半导体层接触;
形成漏电极,用于穿过所述第二接触孔与所述半导体层接触;
在所述第一电极上形成有机发光层;以及
在所述有机发光层上形成第二电极,
其中所述源电极和所述漏电极被所述第二绝缘层隔开。
11.如权利要求10所述的方法,其中所述第一电极的底部、所述栅电极的底部、所述源电极的底部和所述漏电极的底部均与所述第一绝缘层接触,并且在所述第一绝缘层的表面上彼此隔开。
12.如权利要求11所述的方法,其中形成栅电极的步骤包括:
在所述第一绝缘层上形成第一保留传导层;
在所述第一保留传导层上形成第二保留传导层;
通过对所述第一保留传导层进行构图,在所述薄膜晶体管区中形成第一传导层;以及
通过对所述第二保留传导层进行构图,在所述薄膜晶体管区中形成第二传导层,
其中形成所述像素电极的步骤包括:
通过对所述第一保留传导层进行构图,在所述像素区中形成第三传导层;
通过对所述第二保留传导层进行构图,在所述像素区中形成保留传导图案;以及
通过去除所述保留传导图案与所述像素区对应的部分,形成第四传导层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





