[发明专利]发光装置有效
| 申请号: | 201110211883.7 | 申请日: | 2011-07-27 |
| 公开(公告)号: | CN102905414A | 公开(公告)日: | 2013-01-30 |
| 发明(设计)人: | 张俊伟;张军;庄宗仁;翁世芳;余启隆;简嘉宏 | 申请(专利权)人: | 富泰华工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号: | H05B37/02 | 分类号: | H05B37/02;F21V23/02;F21Y101/02 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 518109 广东省深圳市宝安区观澜街道大三社*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 装置 | ||
1.一种发光装置,其包括电源模块及与该电源模块连接的发光模块,该电源模块用于提供工作电压,其特征在于:该发光装置还包括脉宽调制模块及开关模块,该脉宽调制模块连接于该电源模块与该开关模块之间,其用于接收该电源模块的工作电压输出脉冲信号;该脉冲调制模块包括充电单元及放电单元;该开关模块与该发光模块连接,该开关模块连接于该脉宽调制模块与该发光模块之间,其用于根据该脉冲信号控制该发光模块发光状态;该充电单元用于接收工作电压充电并输出处于第二电平状态的脉冲信号,该开关模块控制该发光模块发光;该充电单元还用于通过该放电单元放电并输出处于第一电平状态的脉冲信号,该开关单模块控制该发光模块停止发光。
2.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于:该充电单元还包括第一二极管、第一电阻及第一电容;该第一二极管的阳极与该开关模块电性连接,阴极通过该第一电阻与该第一电容电性连接;该第一电容在接收工作电压充电时,该第一二极管导通。
3.如权利要求2所述的发光装置,其特征在于:该充电单元还包括第一场效应晶体管,该第一场效应晶体管的栅极通过该第一电阻与该第一二极管的阴极电性连接,漏极与该电源模块电性连接,源极接地;该第一电容并联连接于该场效应晶体管的栅极与漏极之间。
4.如权利要求3所述的发光装置,其特征在于:该放电单元包括第二二极管及第二电阻;该第二二极管的阳极与该充电单元电性连接,阴极通过该第二电阻与该开关模块电性连接;该充电单元通过该放电单元放电时,该第二二极管导通,该第一二极管截止。
5.如权利要求4所述的发光装置,其特征在于:该第一电阻和第二电阻为可调电阻,通过调节该第二电阻和第四电阻的阻值可改变该脉冲信号的占空比。
6.如权利要求5所述的发光装置,其特征在于:该放电单元还包括第二场效应晶体管;该第二场效应晶体管的栅极与该第一场效应晶体管的漏极电性连接,该第二场效应晶体管的源极通过该第二电阻与该第二二极管的阴极电性连接,该第三场效应晶体管的漏极接地。
7.如权利要求5所述的发光装置,其特征在于:该开关模块包括一第三场效应晶体管,该第三场效应晶体管的栅极与该第二场效应晶体管的源极电性连接,该第三场效应晶体管的漏极与该发光模块电性连接,该第三场效应晶体管的源极接地。
8.如权利要求7所述的发光装置,其特征在于:该第一场效应晶体管和该第三场效应晶体管为N沟道场效应晶体管,该第二场效应晶体管为P沟道场效应晶体管。
9.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于:该第一电平为高电平,该第二电平为低电平。
10.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于:该脉冲信号的频率大于50赫兹。
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