[发明专利]抗刻蚀层、半导体处理装置及制作方法

权利要求书

1.一种半导体处理装置，包括处理腔室，所述处理腔室用于通入源气体，对放置于处理腔室内的基片进行相应处理，且所述处理腔室还用于容纳等离子体，所述腔室内具有多个处理部件，其特征在于，还包括：

抗刻蚀层，覆盖于所述处理腔室和/或处理部件的暴露于等离子的表面，所述抗刻蚀层用于抵抗等离子体的刻蚀和保护所述处理腔室和/或处理部件。

2.如权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述抗刻蚀层为镍铬铁合金、镍-钼合金、镍-铬-钼合金、哈斯特洛依合金中的一种或其中的组合。

3.如权利要求2所述的半导体处理装置，其特征在于，所述抗刻蚀层还包含Al、Ti、Co、Er、Mn、V、N、Nb、Re、Hf中的一种或多种金属元素。

4.如权利要求2所述的半导体处理装置，其特征在于，所述处理腔室和/或所述处理部件的材质与所述抗刻蚀层的材质相同或不相同。

5.如权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述处理腔室和/或所述处理部件的材质为不锈钢、铝合金、镍-铬-铁合金、哈斯特洛依合金、镍-钼、镍-铬-钼中的一种或其中的组合。

6.如权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述半导体处理装置为MOCVD设备、等离子体刻蚀设备或等离子体增强化学气相沉积设备。

7.一种半导体处理装置的制作方法，包括：

提供处理腔室和/或处理部件，所述处理腔室用于通入源气体，对放置于处理腔室内的基片进行相应处理，所述处理腔室还用于容纳等离子体和所述处理部件；

其特征在于，还包括：

在所述处理腔室和/或所述处理部件的暴露于等离子体的表面形成抗刻蚀层，所述抗刻蚀层用于抵抗等离子体刻蚀和保护所述处理腔室和/或处理部件。

8.如权利要求7所述的半导体处理装置的制作方法，其特征在于，所述抗刻蚀层为镍铬铁合金、镍-钼合金、镍-铬-钼合金、哈斯特洛依合金中的一种或其中的组合。

9.如权利要求8所述的半导体处理装置的制作方法，其特征在于，所述抗刻蚀层还包含Al、Ti、Co、Er、Mn、V、N、Nb、Re、Hf中的一种或多种金属元素。

10.如权利要求7所述的半导体处理装置的制作方法，其特征在于，所述处理腔室和/或所述处理部件的材质与所述抗刻蚀层的材质相同或者不相同。

11.如权利要求7所述的半导体处理装置的制作方法，其特征在于，所述处理腔室和/或所述处理部件的材质为不锈钢、铝合金、镍-铬-铁合金、哈斯特洛依合金、镍-钼、镍-铬-钼中的一种或其中的组合。

12.如权利要求7所述的半导体处理装置的制作方法，其特征在于，所述半导体处理装置为MOCVD设备、等离子体刻蚀设备或等离子体增强化学气相沉积设备。

13.如权利要求7所述的半导体处理装置的制作方法，其特征在于，所述抗刻蚀层的制作方法为热喷涂工艺。

14.如权利要求7所述的半导体处理装置的制作方法，其特征在于，所述表面抗刻蚀层的制作方法为化学气相沉积工艺、等离子体增强化学气相沉积工艺、等离子体浸没增强沉积工艺、物理气相沉积工艺、化学溶胶凝胶工艺、化学湿法涂层工艺。

15.一种抗刻蚀层，用于抵抗等离子体刻蚀，其特征在于，所述抗刻蚀层为镍铬铁合金、镍-钼合金、镍-铬-钼合金、哈斯特洛依合金中的一种或其中的组合。

16.如权利要求15所述的抗刻蚀层，其特征在于，所述抗刻蚀层还包含Al、Ti、Co、Er、Mn、V、N、Nb、Re、H中的一种或多种金属元素。