[发明专利]一种制绒白斑单晶硅片的返工工艺

权利要求书

1.一种制绒白斑单晶硅片的返工工艺，其特征在于，包括：

对白斑单晶硅片进行高温处理，使所述白斑单晶硅片表面残留的杂质挥发；

对高温处理后的所述白斑单晶硅片进行制绒工艺，去除单晶硅片表面的白斑。

2.如权利要求1所述的制绒白斑单晶硅片的返工工艺，其特征在于，对所述白斑单晶硅片进行温度逐渐升高的高温处理。

3.如权利要求2所述的制绒白斑单晶硅片的返工工艺，其特征在于，利用烧结炉对所述白斑单晶硅片进行高温处理，所述高温处理包括：

设定所述烧结炉内各个温区的工作温度，并使所述烧结炉内的温度达到各个所述工作温度；

所述白斑单晶硅片从所述烧结炉的进口进入，经过温度逐渐升高的各个温区至所述烧结炉的出口。

4.如权利要求3所述的制绒白斑单晶硅片的返工工艺，其特征在于，靠近所述烧结炉进口的温区温度为200℃～220℃，靠近所述烧结炉出口的温区温度为850℃～1000℃。

5.如权利要求4所述的制绒白斑单晶硅片的返工工艺，其特征在于，将所述白斑单晶硅片放置在贯穿所述烧结炉的传输丝网上，通过所述传输丝网的运输使所述白斑单晶硅片依次经过温度逐渐升高的各个温区。

6.如权利要求5所述的制绒白斑单晶硅片的返工工艺，其特征在于，所述传输丝网传输的带速为4米/分钟～6米/分钟。

7.如权利要求1至6中任一项所述的制绒白斑单晶硅片的返工工艺，其特征在于，所述制绒工艺包括：

对所述白斑单晶硅片进行预清洗，预清洗完毕后用去离子水将所述白斑单晶硅片冲洗干净；

采用氢氧化钠、异丙醇以及制绒添加剂的混合液制绒，制绒完毕后用去离子水冲洗干净；

对已去除白斑的单晶硅片进行酸洗以去除所述单晶硅片的金属离子杂质以及所述单晶硅片表面的氧化层，酸洗后用去离子水冲洗干净；

对所述单晶硅片进行烘干。

8.如权利要求7所述的制绒白斑单晶硅片的返工工艺，其特征在于，采用异丙醇溶液对所述白斑单晶硅片进行预清洗。

9.如权利要求7所述的制绒白斑单晶硅片的返工工艺，其特征在于，采用盐酸溶液去除所述单晶硅片的金属离子杂质，采用氢氟酸溶液去除所述单晶硅片表面的氧化层。