[发明专利]发光二极管装置的制造方法在审
| 申请号： | 201110209078.0 | 申请日： | 2011-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN102347403A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 片山博之 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/48;H01L33/52 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 装置 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种发光二极管装置的制造方法，其特征在于，该制造方法包括以下工序：
通过用密封材料密封发光二极管来准备密封层的工序；
通过使含有荧光体和有机硅树脂的含荧光体树脂组合物处于B阶状态来准备荧光体层的工序；以及
将所述荧光体层贴合在所述密封层的表面上的工序。
2.根据权利要求1所述的发光二极管装置的制造方法，其特征在于，在准备所述密封层的工序中，以包围所述发光二极管的方式设置壳体，将所述密封材料填充到所述壳体内，
在将所述荧光体层贴合在所述密封层的表面上的工序中，将所述荧光体层贴合在所述密封层的表面和所述壳体的表面这二者上。
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