[发明专利]一种蒽类衍生物有机半导体材料及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种蒽类衍生物有机半导体材料，其分子结构通式为下述(I)：

(I)式中，R为C₁～C₁₂的烷基或H。

2.根据权利要求1所述的蒽类衍生物有机半导体材料，其特征在于：R为C₂～C₈的烷基。

3.一种蒽类衍生物有机半导体材料制备方法，包括如下步骤：

分别提供如下结构式表示的化合物A和化合物B，

在无氧环境中和有机钯催化剂、有机溶剂、碱液存在的条件下，将化合物A、化合物B进行Suzuki耦合反应，得到如下结构通式(I)表示的蒽类衍生物有机半导体材料，

各步骤中所述R为C₁～C₁₂的烷基或H。

4.根据权利要求3所述的蒽类衍生物有机半导体材料制备方法，其特征在于：所述Suzuki耦合反应的温度为80℃～110℃，时间为36～60小时。

5.根据权利要求3所述的蒽类衍生物有机半导体材料制备方法，其特征在于：所述化合物A与化合物B摩尔比为1∶2.1～1∶3。

6.根据权利要求3所述的蒽类衍生物有机半导体材料制备方法，其特征在于：所述有机钯催化剂添加量为化合物B物质的量的1％～20％。

7.根据权利要求3或6所述的蒽类衍生物有机半导体材料制备方法，其特征在于：所述有机钯催化剂为四三苯基膦钯、醋酸钯、三(二亚苄基丙酮)二钯、双三苯基膦二氯化钯中的至少一种。

8.根据权利要求3所述的蒽类衍生物有机半导体材料制备方法，其特征在于：所述Suzuki耦合反应的有机溶剂为苯、甲苯、四氢呋喃、乙酸乙酯中的至少一种。

9.根据权利要求3所述的蒽类衍生物有机半导体材料制备方法，其特征在于：所述化合物A的获取方法为：

提供如下结构式表示的化合物C和化合物D，

化合物C：化合物D：

在无氧环境中和有机溶剂存在的条件下，将化合物D溶于有机溶剂中，再向含有所述化合物D的有机溶剂中滴加正丁基锂，在-78℃～-70℃的条件下进行反应，然后添加化合物C进行反应，得到所述化合物A。

10.根据权利要求1至2任一所述的蒽类衍生物有机半导体材料在有机电致发光器、有机太阳能电池、有机场效应晶体管、有机光存储器、有机非线性材料或/和有机激光器中的应用。