[发明专利]一种接收机混频器有效
申请号: | 201110208814.0 | 申请日: | 2011-07-25 |
公开(公告)号: | CN102291088A | 公开(公告)日: | 2011-12-21 |
发明(设计)人: | 栗星星;赵岩;栗晶晶;葛莉华 | 申请(专利权)人: | 无锡里外半导体科技有限公司 |
主分类号: | H03D7/16 | 分类号: | H03D7/16;H04B1/16 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 214028 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 接收机 混频器 | ||
1.一种接收机混频器,包括:
接收机混频器第一输入端(BE),用于输入待混频信号;
接收机混频器第二输入端(GH),用于输入本振混频信号;
接收机混频器输出端(IJ),用于输出处理后的信号;
混频单元(1121),用于将所述待混频信号和所述本振混频信号混频后输出;
缓冲单元(1122),用于将所述待混频信号缓冲后输出;
所述混频单元(1121),包括所述缓冲单元(1122)。
2.如权利要求1的接收机混频器,其特征在于,所述待混频信号,是差分信号。
3.如权利要求1的接收机混频器,其特征在于,所述本振混频信号,至少包括模式一和模式二:所述模式一适于所述混频单元(1121)进入工作模式;所述模式二适于所述缓冲单元(1122)进入工作模式。
4.如权利要求1的接收机混频器,其特征在于,所述接收机混频器第一输入端,包括低噪声放大器第一输出端(B),低噪声放大器第二输出端(E)。
5.如权利要求1的接收机混频器,其特征在于,所述接收机混频器第二输入端,包括接收机混频器第二输入端第一子输入端(G)和接收机混频器第二输入端第二子输入端(H);
当所述本振混频信号模式一时,所述接收机混频器第二输入端第一子输入端(G)输入高电平,所述接收机混频器第二输入端第二子输入端(H)输入低电平;
当所述本振混频信号模式二时,所述接收机混频器第二输入端第一子输入端(G)和所述接收机混频器第二输入端第二子输入端(H),基于工作频率周期轮换输入高电平或低电平。
6.如权利要求1的接收机混频器,其特征在于,所述接收机混频器输出端(IJ),包括接收机混频器第一输出端(I),和接收机混频器第二输出端(J)。
7.如权利要求1的接收机混频器,其特征在于,所述缓冲单元(1122),包括:
第三组第一NMOS管(M1),具有源极,与所述低噪声放大器第二输出端(E)连接;具有栅极,与所述接收机混频器第二输入端第一子输入端(G)连接;具有漏极,与所述接收机混频器第一输出端(I)连接;
第三组第二NMOS管(M2),具有源极,与所述低噪声放大器第一输出端(B)连接;具有栅极,与所述接收机混频器第二输入端第一子输入端(G)连接;具有漏极,与所述接收机混频器第二输出端(J)连接。
8.如权利要求1的接收机混频器,其特征在于,所述混频单元(1121),包括:
所述第三组第一NMOS管(M1);
所述第三组第二NMOS管(M2);
第三组第三NMOS管(M3),具有源极,与所述低噪声放大器第二输出端(E)连接;具有栅极,与所述接收机混频器第二输入端第二子输入端(H)连接;具有漏极,与所述接收机混频器第二输出端(J)连接;
第三组第四NMOS管(M4),具有源极,与所述低噪声放大器第一输出端(B)连接;具有栅极,与所述接收机混频器第二输入端第二子输入端(H)连接;具有漏极,与所述接收机混频器第一输出端(I)连接。
9.如权利要求1的接收机混频器,其特征在于,还包括,混频主动负载单元(1123),用于提高所述混频单元的线性性能。
10.如权利要求9的接收机混频器,其特征在于,所述混频主动负载单元(1123),包括:
接收机混频器第三输入端(K),用于输入直流偏置信号;
第三组第五PMOS管(M5),具有漏极,与所述接收机混频器第三输入端K连接;具有栅极,栅漏连接;具有源极;
第三组第六PMOS管(M6),具有漏极,与所述第三组第二NMOS管(M2)的漏极连接,同时与所述接收机混频器第一输出端(I)连接;具有栅极,与所述接收机混频器第三输入端(K)连接;具有源极;
第三组第七PMOS管(M7),具有漏极,与所述第三组第一NMOS管(M2)的漏极连接,同时与所述接收机混频器第二输出端(J)连接;具有栅极,与所述接收机混频器第三输入端(K)连接;具有源极;
所述第三组第五PMOS管(M5)的源极、第三组第六PMOS管(M6)的源极和第三组第七PMOS管(M7)的源极连接。
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