[发明专利]薄膜太阳能电池及其制造方法无效
| 申请号: | 201110208265.7 | 申请日: | 2011-07-20 |
| 公开(公告)号: | CN102593193A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
| 发明(设计)人: | 金修显;安世源;李洪哲 | 申请(专利权)人: | LG电子株式会社 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 夏凯;谢丽娜 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
1.一种薄膜太阳能电池,包括:
设置在衬底上的多个电池,
其中所述多个电池中的每一个包括:
第一电极,其设置在所述衬底的一个表面上;
至少一个光电转换单元,其设置在所述第一电极上;
背反射层,其包括:第一反射层,所述第一反射层接触所述至少一个光电转换单元;和第二反射层,所述第二反射层具有暴露所述第一反射层的一部分的开口,所述第二反射层接触所述第一反射层;以及
第二电极,所述第二电极设置在所述背反射层上,所述第二电极通过所述开口电连接至所述第一反射层。
2.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池,其中,所述第一反射层包含具有导电性的铝掺杂氧化锌(AZO)或具有导电性的硼掺杂氧化锌(BZO)。
3.根据权利要求2所述的薄膜太阳能电池,其中,所述第二电极包含通过所述开口接触所述第一反射层的铝。
4.根据权利要求3所述的薄膜太阳能电池,其中,所述第一反射层具有等于或小于约100nm的厚度。
5.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池,其中,所述第二反射层由通过将介质与反射等于或大于约600nm的长波长带的光的白色颜料混合而获得的材料形成。
6.根据权利要求5所述的薄膜太阳能电池,其中,所述白色颜料包含氧化物、氮化物以及碳化物中的至少一种。
7.根据权利要求6所述的薄膜太阳能电池,其中,所述氧化物是二氧化钛(TiO2)和硫酸钡(BaSO4)中的至少一种。
8.根据权利要求6所述的薄膜太阳能电池,其中,所述第二反射层包含含有白色颜料的白漆、白箔以及乙烯醋酸乙烯酯(EVA)箔中的一种。
9.根据权利要求5所述的薄膜太阳能电池,其中,所述开口具有圆形形状、四边形形状或矩形形状。
10.根据权利要求9所述的薄膜太阳能电池,其中,所述开口的宽度小于所述第二电极的宽度。
11.根据权利要求9所述的薄膜太阳能电池,其中,所述开口的长度小于所述第二电极的长度。
12.根据权利要求9所述的薄膜太阳能电池,其中,至少一个开口设置于一个第二电极上。
13.一种制造薄膜太阳能电池的方法,包括:
在衬底上形成第一电极;
在所述第一电极上形成至少一个光电转换单元;
在所述至少一个光电转换单元上形成具有导电性的第一反射层,并且在所述第一反射层上形成具有暴露所述第一反射层的一部分的开口的第二反射层,由此形成背反射层;以及
在所述第二反射层上形成第二电极,所述第二电极通过所述开口电连接至所述第一反射层。
14.根据权利要求13所述的方法,其中,使用铝掺杂氧化锌(AZO)或硼掺杂氧化锌(BZO)来形成所述第一反射层。
15.根据权利要求13所述的方法,其中,使用铝来形成所述第二电极。
16.根据权利要求13所述的方法,其中,形成厚度为等于或小于约100nm的所述第一反射层。
17.根据权利要求13所述的方法,其中,使用通过将介质与反射等于或大于约600nm的长波长带的光的白色颜料混合而获得的材料来形成所述第二反射层。
18.根据权利要求17所述的方法,其中,所述开口的宽度小于所述第二电极的宽度。
19.根据权利要求17所述的方法,其中,所述开口的长度小于所述第二电极的长度。
20.根据权利要求17所述的方法,其中,所述白色颜料包含氧化物、氮化物以及碳化物中的至少一种,以及
所述氧化物是二氧化钛(TiO2)和硫酸钡(BaSO4)中的至少一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





