[发明专利]串联FinFET的实施方法

说明书

背景技术

在集成电路中，相同芯片上有时需要比其它晶体管的驱动电流小的弱晶体管(weak transistors)。为了形成弱晶体管，可以通过将其中的一个晶体管的源极与另一个晶体管的漏极连接起来的方式，将两个或更多导电类型相同的晶体管以串联方式连接起来。

形成弱晶体管的两个晶体管的布局通常包括矩形有源区。在有源区上方形成两个相互平行的栅电极，并且在矩形有源区的下部形成两个晶体管。栅电极可以通过形成于有源区正上方之外的连接部分而相互连接。因此，所连接的栅电极结合起来就形成了弱晶体管的栅电极，而栅电极外侧的有源区则形成了该串联晶体管的源极区和漏极区。有源区部分作为共同的源极/漏极区为两个晶体管所共用。

发明内容

为了解决现有技术所存在的问题，本发明提供了一种器件，包括：第一半导体鳍；第二半导体鳍，平行于所述第一半导体鳍；直线型栅电极，位于所述第一半导体鳍和所述第二半导体鳍上方，并且分别与所述第一半导体鳍和所述第二半导体鳍形成第一鳍式场效晶体管(FinFET)和第二FinFET，其中，所述第一FinFET和所述第二FinFET的导电类型相同；以及第一电连接件，位于直线型栅电极的一侧并且将所述第一FinFET的第一源极/漏极与所述第二FinFET的第一源极/漏极相连接，其中，所述第一FinFET的第二源极/漏极不与所述第二FinFET的第二源极/漏极相连接。

在该器件中，所述第一电连接件的纵向平行于所述直线型栅电极的纵向，或者所述第一FinFET和所述第二FinFET是n型FinFET或p型FinFET，或者所述第一FinFET和所述第二FinFET形成串联FinFET，所述第一FinFET和所述第二FinFET的第二源极/栅极区是所述串联FinFET的源极/栅极区。

此外，该器件还包括：第三半导体鳍，平行于所述第一半导体鳍和所述第二半导体鳍，其中，所述直线型栅电极延伸至所述第三半导体鳍上方，以形成与所述第一FinFET和所述第二FinFET导电类型相同的第三FinFET；以及第二电连接件，将所述第二FinFET的所述第二源极/漏极与所述第三FinFET的第二源极/漏极相连接，其中，所述第三FinFET的第一源极/漏极不与所述第一FinFET的所述第二源极/漏极相连接，其中，所述第一FinFET、第二FinFET和第三FinFET形成串联FinFET。

在该器件中，所述第一电连接件包括：第一接触插塞，位于所述第一FinFET的第一源极/漏极区的正上方并且与其相连接；第二接触插塞，位于所述第二FinFET的第一源极/漏极区的正上方并且与其相连接；以及金属线，位于所述第一接触插塞和所述第二接触插塞上方并且与它们相连接。

根据本发明的另一方面，本发明还提供了一种器件，包括：串联鳍式场效晶体管(FinFET)，所述鳍式场效晶体管(FinFET)包括：第一半导体鳍；第二半导体鳍，与所述第一半导体鳍平行，其中，所述第一半导体鳍和所述第二半导体鳍的外边界限定出所述串联FinFET的顶视图中的第一矩形区；第一栅极电介质和第二栅极电介质，位于所述第一半导体鳍和所述第二半导体鳍的顶面和侧壁上；栅电极，位于所述第一半导体鳍和第二半导体鳍上方，并且分别通过所述第一栅极电介质和所述第二栅极电介质与所述第一半导体鳍和所述第二半导体鳍隔开；以及第一电连接件，位于所述栅电极的一侧，并且将所述第一半导体鳍和所述第二半导体鳍没有被所述栅电极覆盖的部分相互连接。

在该器件中，分别位于所述第一栅电极和所述第二栅电极正下方的所述第一半导体鳍和所述第二半导体鳍的部分具有相同的导电类型，或者所述第一电连接件平行于所述栅电极，或者所述串联FinFET是n型FinFET或者p型FinFET。

在该器件中，所述串联FinFET进一步包括：第三半导体鳍，平行于所述第一半导体鳍和所述第二半导体鳍，其中，所述第一半导体鳍和所述第三半导体鳍位于所述第二半导体鳍的相对侧，所述第一半导体鳍和所述第三半导体鳍的外边界限定出第二矩形区，所述第二矩形区中包含所述第一矩形区；以及第二电连接件，将所述第二半导体鳍和所述第三半导体鳍没有被所述栅电极覆盖的部分相互连接，其中，所述第一电连接件和所述第二电连接件位于所述栅电极的相对侧。