[发明专利]一种直接成形制备钨铜或钼铜高压触头材料的方法无效

专利信息
申请号: 201110207308.X 申请日: 2011-07-22
公开(公告)号: CN102286740A 公开(公告)日: 2011-12-21
发明(设计)人: 王亚平;李纯明;王慧馨 申请(专利权)人: 辽宁金力源新材料有限公司
主分类号: C23C24/04 分类号: C23C24/04;H01H11/04
代理公司: 西安智大知识产权代理事务所 61215 代理人: 贺建斌
地址: 112611 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 直接 成形 制备 高压 材料 方法
【权利要求书】:

1.一种直接成形制备钨铜或钼铜高压触头材料的方法,其特征在于,包括以下步骤:

第一步,按照高压触头的成份配比将原料粉末均匀混合,成分包括质量百分比为20-80%的铜,0-10%的碳,0-5%的镍,20-80%的钨或20-80%的钼,碳与镍作为钨铜或钼铜触头的添加剂使用,碳的存在形式为石墨、碳黑或碳管,

第二步,将混合好的原料粉末输入冷喷涂系统的送粉系统,采用常温或经过加热的气体进行喷涂,加热的气体温度为100~600℃,原料粉末在1.5~3.5Mpa高压气体的作用下,碰撞铜基体发生塑性变形,进而沉积在铜基座表面形成高压触头材料,气体为空气、工业氮气或工业纯氩气,

所述的冷喷涂系统包括高压气源、气体加热器、高压送粉器、气体调节控制系统和喷枪,高压气源与气体调节控制系统的输入连通,气体调节控制系统的第一输出经气体加热器与喷枪的后部混合室连通,体调节控制系统的第二输出经高压送粉器与喷枪的后部混合室连通,喷枪采用缩放型拉瓦尔喷枪,

第三步,将形成的钨铜或钼铜高压触头材料直接使用或在1000-1400℃退火30-60分钟后使用。

2.根据权利要求1所述的一种直接成形制备钨铜高压触头材料的方法,其特征在于,包括以下步骤:

第一步,按照高压触头的成份配比将原料粉末均匀混合,成分包括质量百分比为50-80%的铜,20-50%的钨,钨的粒度为5-50μm,铜的粒度为70-150μm,

第二步,将混合好的原料粉末输入冷喷涂系统的送粉系统,采用经过加热的气体进行喷涂,加热的气体温度为500~550℃,原料粉末在1.5~2.5Mpa高压气体的作用下,碰撞铜基体发生塑性变形,进而沉积在铜基座表面形成高压触头材料,气体为空气,

所述的冷喷涂系统包括高压气源、气体加热器、高压送粉器、气体调节控制系统和喷枪,高压气源与气体调节控制系统的输入连通,气体调节控制系统的第一输出经气体加热器与喷枪的后部混合室连通,体调节控制系统的第二输出经高压送粉器与喷枪的后部混合室连通,喷枪采用缩放型拉瓦尔喷枪,

第三步,将形成的钨铜高压触头材料在1000-1100℃退火20-30分钟后使用。

3.根据权利要求1所述的一种直接成形制备钨铜高压触头材料的方法,其特征在于,包括以下步骤:

第一步,按照高压触头的成份配比将原料粉末均匀混合,成分包括质量百分比为20-60%的铜,40-80%的钨,钨的粒度为5-50μm,铜的粒度为70-150μm,

第二步,将混合好的原料粉末输入冷喷涂系统的送粉系统,采用经过加热的气体进行喷涂,加热的气体温度为500~550℃,原料粉末在1.5~2.5Mpa高压气体的作用下,碰撞铜基体发生塑性变形,进而沉积在铜基座表面形成高压触头材料,气体为工业氮气,

所述的冷喷涂系统包括高压气源、气体加热器、高压送粉器、气体调节控制系统和喷枪,高压气源与气体调节控制系统的输入连通,气体调节控制系统的第一输出经气体加热器与喷枪的后部混合室连通,体调节控制系统的第二输出经高压送粉器与喷枪的后部混合室连通,喷枪采用缩放型拉瓦尔喷枪,

第三步,将形成的钨铜高压触头材料在1200-1300℃退火20-30分钟后使用。

4.根据权利要求1所述的一种直接成形制备钨铜高压触头材料的方法,其特征在于,包括以下步骤:

第一步,按照高压触头的成份配比将原料粉末均匀混合,成分包括质量百分比为20-60%的铜,40-80%的钨,钨的粒度为5-50μm,铜的粒度为70-150μm,

第二步,将混合好的原料粉末输入冷喷涂系统的送粉系统,采用经过加热的气体进行喷涂,加热的气体温度为500~550℃,原料粉末在1.5~2.0Mpa高压气体的作用下,碰撞铜基体发生塑性变形,进而沉积在铜基座表面形成高压触头材料,气体为工业纯氩气,

所述的冷喷涂系统包括高压气源、气体加热器、高压送粉器、气体调节控制系统和喷枪,高压气源与气体调节控制系统的输入连通,气体调节控制系统的第一输出经气体加热器与喷枪的后部混合室连通,体调节控制系统的第二输出经高压送粉器与喷枪的后部混合室连通,喷枪采用缩放型拉瓦尔喷枪,

第三步,将形成的钨铜高压触头材料在1200-1300℃退火20-30分钟后使用。

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