[发明专利]多孔低介电常数介质干法刻蚀速率过慢的解决方法无效
| 申请号： | 201110206531.2 | 申请日： | 2011-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN102427037A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 李程;杨渝书;陈玉文;邱慈云 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多孔 介电常数 介质 刻蚀 速率 过慢 解决方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种多孔低介电常数介质干法刻蚀速率过慢的解决方法，其特征在于，在一刻蚀设备内通过SF6气体与正电性气体组成的混合气体对多孔低介电常数介质进行刻蚀。
2.根据权利要求1所述的多孔低介电常数介质干法刻蚀速率过慢的解决方法，其特征在于，将SF6气体作为主要刻蚀气体，将正电性气体作为添加气体，正电性气体用以增强等离子体的电离度，从而在等离子体内产生更高的电子密度。
3.根据权利要求1所述的多孔低介电常数介质干法刻蚀速率过慢的解决方法，其特征在于，将所述正电性气体设置为Ar。
4.根据权利要求3所述的多孔低介电常数介质干法刻蚀速率过慢的解决方法，其特征在于，将Ar气体在混合气体中所占的比例控制在20%-90%之间。
5.根据权利要求3所述的多孔低介电常数介质干法刻蚀速率过慢的解决方法，其特征在于，将Ar气体在混合气体中所占的比例控制为80%。
6.根据权利要求1所述的多孔低介电常数介质干法刻蚀速率过慢的解决方法，其特征在于，刻蚀过程中将温度控制在20-60摄氏度。
7.根据权利要求1所述的多孔低介电常数介质干法刻蚀速率过慢的解决方法，其特征在于，所述刻蚀设备选用TCP、ICP、CCP或RIE。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
