[发明专利]具有改良的光电二极管区域分配的CMOS图像传感器有效
| 申请号: | 201110206456.X | 申请日: | 2011-07-15 |
| 公开(公告)号: | CN102339839A | 公开(公告)日: | 2012-02-01 |
| 发明(设计)人: | D·毛;戴幸志;V·韦内齐亚;钱胤;H·E·罗兹 | 申请(专利权)人: | 美商豪威科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N9/04 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 毛力 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 改良 光电二极管 区域 分配 cmos 图像传感器 | ||
1.一种装置,包括:
像素阵列,所述像素阵列包括形成在衬底上的多个宏像素,每个宏像素包括:
一对第一像素,各自包括用于第一色彩的滤色器,所述第一色彩为像素最敏感的色彩,
第二像素,包括用于第二色彩的滤色器,所述第二色彩为像素最不敏感的色彩,以及
第三像素,包括用于第三色彩的滤色器,像素对所述第三色彩的敏感度介于最不敏感与最敏感之间,
其中所述第一像素所占据的所述宏像素的光收集区域的比例均大于所述第二像素或所述第三像素所占据的比例。
2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第一像素各自占据所述宏像素的介于约20%与约40%之间的光收集区域,所述第二像素占据所述宏像素的介于约10%与约20%之间的光收集区域,且所述第三像素占据所述宏像素的介于约10%与约20%之间的光收集区域。
3.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第一像素各自占据所述宏像素的光收集区域的约30%,所述第二像素占据所述宏像素的光收集区域的约20%,且所述第三像素占据所述宏像素的光收集区域的约20%。
4.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第一色彩为绿色,所述第二色彩为蓝色,且所述第三色彩为红色。
5.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第一色彩为黄色,所述第二色彩为品红色,且所述第三色彩为青色。
6.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述一对第一像素具有八边形的形状。
7.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述宏像素为四边形的且包括四个像素,其中所述第一像素处于相对隅角中,且所述第二像素与所述第三像素处于相对隅角中。
8.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第一像素、第二像素及第三像素形成于所述衬底的正面上,且用于所述第一色彩、第二色彩及第三色彩的滤色器形成于所述衬底的正面上。
9.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第一像素、第二像素及第三像素形成于所述衬底的正面上,且所述第一滤色器、第二滤色器及第三滤色器形成于所述衬底的背面上。
10.如权利要求1所述的装置,其特征在于,进一步包括耦合至所述像素阵列的像素的控制电路或读出电路。
11.如权利要求10所述的装置,其特征在于,所述控制电路可对于所述像素阵列内的每一像素产生传输(TX)信号、重置(RST)信号及选择信号中的一个或多个。
12.一种系统,包括:
图像传感器,所述图像传感器形成于衬底中,其中所述图像传感器具有包括多个宏像素的像素阵列,每个宏像素包括:
一对第一像素,各自包括用于第一色彩的滤色器,所述第一色彩为像素最敏感的色彩,
第二像素,包括用于第二色彩的滤色器,所述第二色彩为像素最不敏感的色彩,以及
第三像素,具有用于第三色彩的滤光器,像素对所述第三色彩的敏感度介于最不敏感与最敏感之间,
其中所述第一像素所占据的所述宏像素的光收集区域的比例均大于所述第二像素或第三像素所占据的比例;以及
控制电路及处理电路,其耦合至所述图像传感器以读出并处理来自所述像素阵列的信号。
13.如权利要求12所述的系统,其特征在于,所述第一像素各自占据所述宏像素的介于约20%与约40%之间的光收集区域,所述第二像素占据所述宏像素的介于约10%与约30%之间的光收集区域,且所述第三像素占据所述宏像素的介于约10%与约30%之间的光收集区域。
14.如权利要求12所述的系统,其特征在于,所述第一像素各自占据所述宏像素的光收集区域的约30%,所述第二像素占据所述宏像素的光收集区域的约20%,且所述第三像素占据所述宏像素的光收集区域的约20%。
15.如权利要求12所述的系统,其特征在于,所述第一色彩为绿色,所述第二色彩为蓝色,且所述第三色彩为红色。
16.如权利要求12所述的系统,其特征在于,所述第一色彩为黄色,所述第二色彩为品红色,且所述第三色彩为青色。
17.如权利要求12所述的系统,其特征在于,所述一对第一像素具有八边形的形状。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





