[发明专利]固态成像装置及其制造方法以及成像设备

权利要求书

1.一种固态成像装置，包括：

半导体衬底，提供有包括光电转换入射光的光接收部分的有效像素区域；

互连层，提供在该半导体衬底的与光接收面相反的面侧；

第一凹槽部分，提供在相邻的光接收部分之间，并且从该半导体衬底的该光接收面侧起以预定深度而形成；以及

绝缘材料，埋设在该第一凹槽部分的至少一部分中。

2.根据权利要求1所述的固态成像装置，还包括：

第二凹槽部分，提供在位于该有效像素区域的周围且被遮光的光学黑体区域中，并且从该半导体衬底的该光接收面侧起以预定深度而形成；以及

遮光材料，埋设在该第二凹槽部分的至少一部分中。

3.根据权利要求1所述的固态成像装置，还包括：

第三凹槽部分，提供在该有效像素区域和位于该有效像素区域的周围且被遮光的光学黑体区域之间，并且从该半导体衬底的该光接收面侧起以预定深度而形成；以及

遮光材料，埋设在该第三凹槽部分的至少一部分中。

4.根据权利要求1所述的固态成像装置，还包括：

第二凹槽部分，提供在位于该有效像素区域的周围且被遮光的光学黑体区域中，并且从该半导体衬底的该光接收面侧起以预定深度而形成；

第三凹槽部分，提供在该有效像素区域和该光学黑体区域之间，并且从该半导体衬底的该光接收面侧起以预定深度而形成；以及

遮光材料，埋设在该第二凹槽部分的至少一部分和该第三凹槽部分的至少一部分中。

5.根据权利要求1所述的固态成像装置，

其中该半导体衬底包括装置分隔区域，该装置分隔区域提供在相邻的光接收部分之间，包括预定的杂质区域，并且电性分隔该相邻的光接收部分，并且

该第一凹槽部分形成在该装置分隔区域中。

6.根据权利要求1所述的固态成像装置，还包括：

高电介质材料膜，形成在该第一凹槽部分和该绝缘材料之间。

7.根据权利要求2所述的固态成像装置，还包括：

高电介质材料膜，形成在该第二凹槽部分和该遮光材料之间。

8.根据权利要求3所述的固态成像装置，还包括：

高电介质材料膜，形成在该第三凹槽部分和该遮光材料之间。

9.一种制造固态成像装置的方法，包括：

在半导体衬底的相邻光接收部分之间形成从该半导体衬底的光接收面侧起具有预定深度的第一凹槽部分，该半导体衬底提供有包括光电转换入射光的每一个该光接收部分的有效像素区域；

在该第一凹槽部分的至少一部分中埋设绝缘材料；以及

在该半导体衬底的与该光接收面相反的面侧形成互连层。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括：

除了形成该第一凹槽部分外，还在位于该有效像素区域的周围且被遮光的光学黑体区域中形成从该半导体衬底的该光接收面侧起具有预定深度的第二凹槽部分；并且

在该第二凹槽部分的至少一部分中埋设遮光材料。

11.根据权利要求9所述的方法，还包括：

除了形成该第一凹槽部分外，还在该有效像素区域和位于该有效像素区域的周围且被遮光的光学黑体区域之间形成从该半导体衬底的该光接收面侧起具有预定深度的第三凹槽部分，

在该第三凹槽部分的至少一部分中埋设遮光材料。

12.根据权利要求9所述的方法，还包括：

除了形成该第一凹槽部分外，还在位于该有效像素区域的周围且被遮光的光学黑体区域中形成从该半导体衬底的该光接收面侧起具有预定深度的第二凹槽部分，并且在该有效像素区域和该光学黑体区域之间形成从该半导体衬底的该光接收面侧起具有预定深度的第三凹槽部分；以及

在该第二凹槽部分的至少一部分和该第三凹槽的至少一部分中埋设遮光材料。