[发明专利]背侧照明的图像传感器

权利要求书

1.一种用于制作背侧照明的图像传感器的方法，所述方法包括：

靠近基板的前侧形成光接收元件；

在所述基板的所述前侧之上形成互连层；

在所述基板的背侧靠近所述光接收元件形成透明导电层；以及

形成电性连接所述互连层和所述透明导电层的导电对准键，其中所述导电对准键在所述互连层与所述透明导电层之间延伸穿过所述基板。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述形成互连层包括形成图案化金属层和图案化绝缘层。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述形成图案化金属层和图案化绝缘层包括形成多个图案化金属层和多个图案化绝缘层。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述形成互连层包括形成多个图案化金属层，其中所述导电对准键电性连接到离所述基板的所述前侧最远的图案化金属层。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述形成透明导电层包括由选自由ITO、ZO、SnO和ZTO构成的组中的材料形成所述透明导电层。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述透明导电层包括ITO层，且其中所述方法还包括以选自由Co、Ti、W、Mo和Cr构成的杂质组中的杂质掺杂所述ITO层。

7.如权利要求5所述的方法，其中所述透明导电层包括ZO层，且其中所述方法还包括以选自由Mg、Zr和Li构成的杂质组中的杂质掺杂所述ZO层。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述透明导电层包括多晶硅层、贵金属层或者多晶硅层与贵金属层两者。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述形成光接收元件包括在所述基板中形成光敏二极管。

10.如权利要求1所述的方法，还包括靠近所述光接收元件在所述透明导电层之上形成彩色滤光片和微透镜两者。

11.一种用于制造背侧照明的图像传感器的方法，所述方法包括：

在基板中形成光接收元件；

靠近所述光接收元件在所述基板之上形成层间绝缘层；

形成对准键，与所述光接收元件间隔开并且穿过所述层间绝缘层和所述基板；

在所述层间绝缘层之上的多层结构中形成多个互连层，其中所述多层结构的金属层电性连接到所述对准键；

在所述多个互连层的前面的最外层之上形成前侧钝化层；

在所述基板之上形成背侧钝化层；以及

靠近所述光接收元件在所述背侧钝化层之上形成透明导电层，其中形成所述透明导电层，使得所述透明导电层电性连接到所述对准键。

12.如权利要求11所述的方法，还包括靠近所述光接收元件在所述透明导电层之上形成彩色滤光片和微透镜两者。

13.如权利要求11所述的方法，还包括在所述前侧钝化层之上形成另外的基板。

14.如权利要求13所述的方法，所述形成背侧钝化层包括形成多层结构，所述多层结构包括由折射率不同的材料形成的层。

15.如权利要求11所述的方法，其中所述背侧钝化层包括折射率低于所述基板的折射率的层。

16.如权利要求14所述的方法，其中所述背侧钝化层包括折射率低于所述基板的折射率的层。

17.如权利要求11所述的方法，还包括靠近所述前侧钝化层接合另外的基板。

18.如权利要求17所述的方法，其中所述另外的基板包括绝缘体上硅基板。

19.如权利要求15所述的方法，其中所述形成透明导电层包括由选自由ITO、ZO、SnO和ZTO构成的组中的材料形成所述透明导电层。

20.如权利要求19所述的方法，其中所述透明导电层包括ITO层，且其中所述方法还包括以选自由Co、Ti、W、Mo和Cr构成的杂质组中的杂质掺杂所述ITO层。

21.如权利要求19所述的方法，其中所述透明导电层包括ZO层，且其中所述方法还包括以选自由Mg、Zr和Li构成的杂质组中的杂质掺杂所述ZO层。

22.如权利要求11所述的方法，其中所述透明导电层包括多晶硅层、贵金属层或者多晶硅层与贵金属层两者。