[发明专利]基于IR-LED陶瓷基板的稀土厚膜电路电热元件及其制备方法

权利要求书

1.一种基于IR-LED陶瓷基板的稀土厚膜电路电热元件，其特征在于，它包括石英陶瓷基板、系列稀土电子浆料，系列稀土电子浆料以厚膜电路的形式制备在石英陶瓷基板上，厚膜电路有外接电源的电极连接端。

2.根据权利要求1所述的基于IR-LED陶瓷基板的稀土厚膜电路电热元件，其特征在于，所述石英基板由石英（SiO₂-Al₂O₃-B₂O₃-Mg₂0₃-ZrO₂ ）陶瓷和稀土氧化物组成，石英陶瓷各氧化物粉体配比为：SiO₂ 93.5～96.8%、Al₂O₃1.5～3%、B₂O₃0.5～1%、Mg₂0₃ 0.2～0.5%、 ZrO₂1～2%，粒度范围≤3ηm；稀土氧化物为镧、铈、钕、钷、钆、铒、钪、钇和氧化铽中的一种或几种。

3.根据权利要求1所述的基于IR-LED陶瓷基板的稀土厚膜电路电热元件，其特征在于，所述系列电子浆料包括封装浆料、稀土电阻浆料、稀土电极浆料，系列电子浆料均由功能相、无机粘接相、有机载体组成。

4.根据权利要求3所述的基于IR-LED陶瓷基板的稀土厚膜电路电热元件，其特征在于，所述稀土电阻浆料由功能相和有机载体组成，比例为（65～85）%∶（15～35）%；功能相成分由银钌钯钇复合粉和微晶玻璃粉组成，比例为（55～75）∶（25～45）；银钌钯钇粉的重量比为（59～75）∶（15～20.5）∶（5～20）:（0.5～5）；微晶玻璃粉为CaO-SiO₂-Al₂O₃- B₂O₃-Bi₂O₃-La₂O₃系微晶玻璃，该微晶玻璃各氧化物重量比为CaO10～35%、SiO₂20～60%、Al₂O₃5～35%、B₂O₃1～10%、Bi₂O₃10～30%、La₂O₃0.3～8%；晶核剂为TiO₂1～8％、ZrO₂1～10％。

5.根据权利要求4所述的基于IR-LED陶瓷基板的稀土厚膜电路电热元件，其特征在于，所述稀土电阻浆料有机溶剂载体配方（重量比）为：松油醇68～78%、柠檬酸三丁酯2～18%、乙基纤维素0.4～9%、硝基纤维素0.4～9%、氢化蓖麻油0.1～6%、卵磷脂0.1～6%。

6.根据权利要求3所述的基于IR-LED陶瓷基板的稀土厚膜电路电热元件，其特征在于，所述稀土电极浆料由固相成分与有机溶剂载体组成，其重量比为（70～90）%∶（10～30）%；其中固相成分包括银钯钇复合粉与微晶玻璃粉，其重量比为（94～99.4）%∶（0.6～5）%；该钯粉、银粉与钇粉的重量比为（0.6～10）%∶（82～99）%∶（0.4～8）%；所述微晶玻璃粉为SiO₂-Al₂O₃-CaO-B₂O₃-Bi₂O₃-La₂O₃系微晶玻璃，该微晶玻璃成分配比为SiO₂20～60%、Al₂O₃5～35%、CaO10～35%、B₂O₃1～15%、Bi₂O₃10～30%、La₂O₃0.3～15%，晶核剂TiO₂1～10％、ZrO₂1～10％。