[发明专利]一种用于大规模快闪存储器的灵敏放大器

说明书

技术领域

 本发明涉及一种灵敏放大器，尤其涉及一种用于大规模快闪存储器的灵敏放大器，属于微纳电子存储器技术领域。

背景技术

存储器大致可分为两大类：挥发性存储器和非挥发性存储器。挥发性存储器在电源关闭时立即失去存储在内的信息；它需要持续的电源供应以维持数据，以SRAM、DRAM为代表。非挥发性存储器，它的主要特点是在不加电的情况下也能够长期保持存储的信息，目前使用的最多的为闪存（Flash）非挥发性存储器。随着多媒体应用、移动通信等对大容量、低功耗存储的需要，非挥发性存储器，特别是闪存（Flash），所占半导体器件的市场份额变得越来越大，也越来越成为一种相当重要的存储器类型。

随着如今数据量不断地增大，闪存的容量也在急剧上升，大规模、高密度的闪存成了时下应用的主流媒介。而随着产生的问题就是读取速度不能满足应用要求，如何在功耗的允许下显著提高读取速度成了首要问题。页读取的提出极大改善了读出速度，但页读取数据量的大小受限于功耗，如何处理功耗的分配问题成了当务之急。同时，随着闪存密度的增大，存储阵列中金属线，存储单元之间的互相耦合问题变得非常显著，如何快速预充成了提高读取速度需要面对的首要问题。

发明内容

本发明针对如何快速预充成了提高存储器读取速度需要面对的首要问题的需求，提供一种用于大规模快闪存储器的灵敏放大器。    

本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种用于大规模快闪存储器的灵敏放大器包括PMOS管MP1、PMOS管MP2、PMOS管MP3、PMOS管MP4、PMOS管MP5、PMOS管MP6、PMOS管MP7、PMOS管MP8、PMOS管MP9、NMOS管MN1、NMOS管MN2、NMOS管MN3、NMOS管MN4、NMOS管MN5、NMOS管MN6、NMOS管MN7、NMOS管MN8、NMOS管MN9和旁路电容C；所述PMOS管MP1、PMOS管MP2、PMOS管MP3、PMOS管MP4、PMOS管MP5、PMOS管MP6、PMOS管MP7、PMOS管MP8和PMOS管MP9的衬底接电源电压；所述NMOS管MN1、NMOS管MN2、NMOS管MN3、NMOS管MN4、NMOS管MN5、NMOS管MN6、NMOS管MN7、NMOS管MN8和NMOS管MN9的衬底接地；所述PMOS管MP1的源端接电源电压，栅端接预充使能信号PREC_A，漏端同时接到NMOS管MN2的漏端和NMOS管MN3的源端，组成第一条预充支路；所述PMOS管MP2和PMOS管MP3组成第二条预充支路，所述PMOS管MP2的源端和衬底同时接电源电压，漏端接到PMOS管MP3的源端，栅端接到PMOS管MP3的漏端，所述PMOS管MP3的栅端接预充使能信号PREC_B，漏端接到NMOS管MN3的漏端；所述NMOS管MN3的栅端接到PMOS管MP4和NMOS管MN4组成的钳位反相器的输出端，源端接到PMOS管MP4和NMOS管MN4组成的钳位反相器的输入端，同时接到NMOS管MN1和NMOS管MN2的漏端；所述NMOS管MN1的栅端接放电信号DISC，在无操作时对灵敏放大器电路进行放电；所述NMOS管MN2的栅端接选通信号BANK，使得灵敏放大器与存储数据通道隔离开，所述NMOS管MN2的源端接到存储数据通道输入DATA；所述PMOS管MP5、PMOS管MP6、PMOS管MP7和PMOS管MP8组成电流镜像模块；所述PMOS管MP5和PMOS管MP7栅端连接在一起并外接使能信号EN_SA，所述PMOS管MP5的漏端分别连到PMOS管MP6的源端，所述PMOS管MP7的漏端连到MP8的源端，所述PMOS管MP6和PMOS管MP8的栅端连接在一起并接到PMOS管MP6的漏端，从而将读取到的数据通道电流镜像到PMOS管MP6和PMOS管MP8支路上；所述PMOS管MP8的漏端连接到由PMOS管MP9和PMOS管MN5组成的感应输出反相器的输入端，感应输出反相器的输出端为灵敏放大器的输出端，同时PMOS管MP8的漏端连接到NMOS管MN6的漏端；所述NMOS管MN6、NMOS管MN7、NMOS管MN8和NMOS管MN9组成参考电流输入端的电流镜像模块；所述NMOS管MN8的漏端外接输入参考电流Iref，同时连接到NMOS管MN6和NMOS管MN8的栅端，所述NMOS管MN8的源端连接到NMOS管MN9的漏端和栅端，同时连接到旁路电容C的一端，所述旁路电容C的另一端接地；所述NMOS管MN7和NMOS管MN9的栅端连接到一起，所述NMOS管MN7的漏端连接到NMOS管MN6的源端。