[发明专利]桥式晶体材料双头磨床

说明书

【技术领域】

本发明涉及一种晶体材料的加工设备，具体涉及一种桥式晶体材料双头磨床。

【背景技术】

在使用西门子法生产多晶硅的过程中，硅芯搭接技术是非常重要的一个环节，它主要应用于多晶硅生产的还原反应过程。这个环节的还原反应过程的原理是：所述还原反应是在一个密闭的还原炉中进行的，在装炉前先在还原炉内用硅芯搭接成若干个闭合回路，也就是行话中的“搭桥”；每个闭合回路都由两根竖硅芯和一根横硅芯组成；每一个闭合回路的两个竖硅芯分别接在炉底上的两个电极上，两个电极分别连接直流电源的正负极，向密闭的还原炉内通入氢气和三氯氢硅，然后对硅芯进行加热，加热中一组搭接好的硅芯相当于一个大电阻，进行还原反应；这样，所需的多晶硅就会在硅芯表面生成。

实现上述技术时，通过搭桥技术使一根横硅芯和两根竖硅芯进行联通，本发明人在先申请的中国专利：公开了一种可有效提高接触面积和减小电阻的孔式硅芯搭接方法，该专利提出了一种圆球形硅芯的搭接方法，它是通过在横硅芯两端分别设置硅芯圆球体，并在两个硅芯圆球体的下部分别设置插孔，由竖硅芯上端的插柱与插孔吻配连接，形成提高接触面积和减少电阻的连接方式；但是，在实际应用中发现在横硅芯圆球体上钻孔时往往会造成横硅芯圆球体产生裂纹，甚至发生断裂，成品率相对较低，使得加工成本增加；且在横硅芯两端拉制圆球体也是一个工艺较为复杂且成本较高的工艺过程，这个过程不仅工艺复杂，而且在拉制横硅芯圆球体时一不小心便会出现高频线圈与硅芯接触造成打火现象的发生，甚至造成高频线圈报废，并且影响工艺的进行，必须得停止拉制过程，通过更换高频线圈来进行下一次的拉制过程，这其中停工中的再次开启设备时为防止原料棒在拉制过程中发生氧化，还必须重新更换新的籽晶，同时还要重新对硅芯炉进行抽真空、冲入保护性气体、加热等工艺步骤；所以有必要对于硅芯的搭接方式及其设备进行改进。

参考文献：

中国专利；专利名称、可有效提高接触面积和减小电阻的孔式硅芯搭接方法，公开号、CN101570890A，公开日、2009年11月4日。

【发明内容】

为克服背景技术中的不足，本发明所要解决的技术问题是提供一种桥式晶体材料双头磨床，本发明所述的桥式晶体材料双头磨床实现了稳固的磨削晶棒的目的，有效地提高了晶棒加工的机械化程度，克服了现有技术必须拉制硅芯圆球体的弊端。

为了实现所述发明目的，本发明采用如下技术方案：

一种桥式晶体材料双头磨床，包括晶棒夹持机构；晶棒的一端磨削机构；晶棒的另一端磨削机构；所述晶棒夹持机构夹持晶棒的中部，晶棒的一端磨削机构的两个磨轮分别对应晶棒的一端两侧，所述两个磨轮分别由底座形成两个磨轮对晶棒的间隔磨削，在两个磨轮的后部分别外接动力机构或设有电机；晶棒的另一端磨削机构的两个磨轮分别对应晶棒的另一端两侧，所述两个磨轮分别设置在底座上形成两个磨轮对晶棒的间隔磨削，在两个磨轮的后部分别外接动力机构或设有电机；在晶棒的一端磨削机构、晶棒的另一端磨削机构上分别设有均匀给进机构，所述均匀给进机构形成对晶棒两端分别的两个侧面的同步磨削的桥式晶体材料双头磨床。

所述的桥式晶体材料双头磨床，在晶棒的一端磨削机构和晶棒的另一端磨削机构的下部分别设有间距调节机构，形成对不同长度晶棒的磨削调节机构。

所述的桥式晶体材料双头磨床，所述晶棒的一端磨削机构和晶棒的另一端磨削机构为相同结构且晶棒的一端磨削机构的两个磨轮与晶棒的另一端磨削机构的两个磨轮间距为相互对应的结构设置，其中晶棒的一端磨削机构包括磨轮、底座、轴筒、电机安装座、电机、轴承、轴承压盖、锁紧螺母、轴和联轴器，所述底座固定在磨头安装底板的上部面上，在底座的两个内孔中分别固定两个轴筒，所述轴筒的内孔中分别设置有轴，所述每一轴的两端紧配有轴承，轴承的外圈固定在轴筒内孔的两端，在轴筒的一端通过电机安装座设置有电机或通过皮带轮、链轮连接电机。

所述的桥式晶体材料双头磨床，所述电机通过联轴器与轴的一端连接，在轴筒的另一端固定有轴承压盖，所述轴承压盖的另一侧设置有磨轮。

所述的桥式晶体材料双头磨床，所述晶棒的一端磨削机构固定在磨头安装底板的上部面，在晶棒的一端磨削机构的磨头安装底板的一侧设置有晶棒存储装置，所述晶棒存储装置的内部设置有传感器，在晶棒存储装置靠近晶棒夹持机构的一侧设置有晶棒导出管。

所述的桥式晶体材料双头磨床，所述晶棒的另一端磨削机构固定在磨头安装底板的上部面，在晶棒的另一端磨削机构的磨头安装底板的一侧设置有晶棒顶出机构。