[发明专利]一种生长纳米晶硅粉体的装置

权利要求书

1.一种生长纳米晶硅粉体的装置，包括反应腔（1），设置在反应腔（1）顶部的进气管道（2），设置在反应腔（1）底部的收集腔（3），位于反应腔（1）外部的射频源（6），以及设置在收集腔（3）内部的收集网（5）；其特征在于：一对电极（9）在反应腔（1）中竖直设置，电极（9）对应的两端固定有充当介质阻挡层的石英片（10）形成一对平行板，所述收集腔（3）的底部连接有真空泵（7），在收集腔（3）的内部且在收集网（5）的下面设有可调挡板（8）。

2.根据权利要求1所述的一种生长纳米晶硅粉体的装置，其特征在于：所述进气管道（2）上设置有流量表（14）。

3.根据权利要求1所述的一种生长纳米晶硅粉体的装置，其特征在于：所述进气管道（2）的内部套装有用以限流的石英导流管（4）。

4.根据权利要求1所述的一种生长纳米晶硅粉体的装置，其特征在于：所述电极（9）为外部包有一层绝缘体的铝棒。

5.根据权利要求4所述的一种生长纳米晶硅粉体的装置，其特征在于：所述铝棒的内部设有用以通冷却水以防铝棒过热烧毁的盲孔。

6.根据权利要求5所述的一种生长纳米晶硅粉体的装置，其特征在于：所述盲孔中设有两根分别用于进水和出水的细水管（15、18）。

7.根据权利要求1所述的一种生长纳米晶硅粉体的装置，其特征在于：所述反应腔（1）与收集腔（3）之间设有防止纳米晶硅粉体飘散的玻璃限流管（12）。

8.根据权利要求1所述的一种生长纳米晶硅粉体的装置，其特征在于：所述收集网（5）为不锈钢网。

9.根据权利要求1所述的一种生长纳米晶硅粉体的装置，其特征在于：所述收集腔（3）的外部设有测其内部气压的压强表（13）。