[发明专利]一种金属陶瓷体吸收器的金属化配方无效

专利信息
申请号: 201110201768.1 申请日: 2011-07-19
公开(公告)号: CN102260096A 公开(公告)日: 2011-11-30
发明(设计)人: 吴华夏;阮智文;贺兆昌;李娟;章文燕 申请(专利权)人: 安徽华东光电技术研究所
主分类号: C04B41/88 分类号: C04B41/88;C23C24/08
代理公司: 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 代理人: 董建林;严志平
地址: 241002 安徽省芜*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 金属陶瓷 吸收 金属化 配方
【权利要求书】:

1.一种金属陶瓷体吸收器的金属化配方,其特征在于,包括质量百分含量为70~75%的钼粉和余量的铝锰玻璃粉。

2.根据权利要求1所述的一种金属陶瓷体吸收器的金属化配方,其特征在于,所述的钼粉的平均粒径小于5μm。

3.根据权利要求2所述的一种金属陶瓷体吸收器的金属化配方,其特征在于,所述的钼粉的平均粒径为1~3μm。

4.根据权利要求1所述的一种金属陶瓷体吸收器的金属化配方,其特征在于,所述的铝锰玻璃粉的平均粒径小于5μm。

5.根据权利要求4所述的一种金属陶瓷体吸收器的金属化配方,其特征在于,所述的铝锰玻璃粉的平均粒径为2~4μm。

6.根据权利要求1所述的一种金属陶瓷体吸收器的金属化配方,其特征在于,所述的钼粉和铝锰玻璃粉的纯度都大于99.9%。

7.一种金属陶瓷体吸收器的金属化配方在钼-氮化铝衰减器陶瓷上的应用,其特征在于,包括以下步骤:

(1)将质量百分含量为70~75%的钼粉和余量的铝锰玻璃粉混合后添加粘结剂和助溶剂后再次混合形成金属化膏剂;

(2)将步骤(1)形成的金属化膏剂涂覆在钼-氮化铝衰减器陶瓷上,涂覆厚度为40~60μm;

(3)将步骤(2)涂覆好的钼-氮化铝衰减器陶瓷放入金属化烧结炉中进行烧结,其中烧结温度为1250~1300℃,保温40~60min,烧结氛围为氢气,控制其露点为-20±5℃。

8.根据权利要求7所述的金属陶瓷体吸收器的金属化配方在钼-氮化铝衰减器陶瓷上的应用,其特征在于,步骤(1)所述的金属化膏剂的混合方法包括以下步骤:

(a)按照步骤(1)所述的金属化配方称取钼粉和铝锰玻璃粉,并连同玛瑙球放入球磨罐中,其中,金属化配方与玛瑙球的重量比为:1:2~3;

(b)将装好粉末和玛瑙球的球磨罐放入球磨机中,混合均匀;

(c)向步骤(b)中混合好的粉料中加入粘结剂和助溶剂,然后在球磨机上再次混合均匀,其中,100g的粉料中加入的粘结剂和助溶剂的体积分别为40-60ml和20-30ml。

9.根据权利要求7或8所述的一种金属陶瓷体吸收器的金属化配方在钼-氮化铝衰减器陶瓷上的应用,其特征在于,所述的粘结剂为硝棉。

10.根据权利要求7或8所述的一种金属陶瓷体吸收器的金属化配方在钼-氮化铝衰减器陶瓷上的应用,其特征在于,所述的助溶剂为乙酸乙酯。

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