[发明专利]显示装置的制造方法

说明书

本申请是申请日为2006年12月13日且题为“显示装置及其制造方法”的第200610165710.5号发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种显示装置，更具体而言，涉及包括有机薄膜晶体管(OTFT)的显示装置及其制造方法。

背景技术

包括液晶显示器(LCD)和有机发光二极管(OLED)显示器的平板显示装置采用薄膜晶体管(TFT)形成图像。TFT是用于控制和驱动每一像素的操作的开关和驱动元件。TFT包括栅电极、覆盖所述栅电极的栅极绝缘层和设置于所述栅极绝缘层上的半导体层。所述半导体层包括非晶硅或多晶硅，最近还有人采用有机半导体。

有机半导体(OSC)形成于常温常压下，并且可以通过无需涂覆、曝光和显影过程的喷墨打印工艺形成，其方式为形成围绕设置有机半导体的区域，即沟道区的壁。所述壁具有暴露沟道区的开口。之后，通过所述开口向沟道区喷射有机半导体溶液，并从有机半导体溶液中去除溶剂，由此形成有机半导体。

但是，由于TFT是一个非常小的元件，因而不易于向所述开口适当地喷射有机半导体溶液。例如，可能未将有机半导体溶液喷射到适当位置，而是使其淀积在了所述壁上。因此，每一像素上的有机半导体层的厚度可能不同，因而有机半导体的特性也可能是不均匀的。为了解决这一问题，对壁的表面进行处理，使之防水防油。

但是，通过表面处理可能会改变位于有机半导体层之下的栅极绝缘层的特性，因而可能对包括有机半导体层的TFT的特性造成不利影响。

发明内容

一种显示装置，包括：形成于绝缘基板上的栅极导体和栅电极；通过在所述栅极导体上涂覆金属形成的金属层；位于所述金属层上的优选由无定形ITO或IZO形成的透明电极层，优选采用铬蚀刻剂对所述透明电极层进行构图，从而跨越所述栅电极将其划分为两部分，之后对其退火，从而使其变为聚合晶体；采用所述透明电极作为阻挡层对所述金属层构图，以机诶定通过所述栅电极被划分为两部分的沟道区；以及形成于所述沟道区内的有机半导体层。在所述绝缘基板上形成数据导体，并在形成所述栅极导体之前，在所述数据导体上形成中间绝缘层。在所述中间绝缘层上形成的第一壁，使之具有暴露所述栅电极的第一开口，在所述第一开口内形成覆盖所述栅电极的栅极绝缘层。

优选通过喷墨法在所述第一开口内形成所述栅极绝缘层。在所述透明电极层上形成第二壁，从而提供暴露所述沟道区的第二开口。在所述退火之后，并且在对所述金属层构图之前，对所述第二壁进行表面处理。优选通过喷墨法在所述第二开口内形成所述有机半导体层。

通过O2等离子体处理工艺、CF4等离子体处理工艺或自聚集单原子层工艺(SAM)中的至少一种执行所述表面处理。

在所述有机半导体层上形成钝化层。

根据本发明的一个方面，提供一种制造显示装置的方法，包括：在绝缘基板上形成包括栅电极的栅极导体；在所述栅电极上形成栅极绝缘层；通过在所述栅极绝缘层上涂覆金属材料形成金属层；通过向所述金属层涂覆透明电极材料形成透明电极层；对所述透明电极层构图，从而跨越所述栅电极将其划分为两部分；对所述透明电极层退火；对所述金属层构图以具有沟道区，使之被跨越所述栅电极划分为两部分；以及在所述沟道区内形成有机半导体层。

附图说明

通过阅读下文中结合附图的说明，本发明的前述和其他目的、特征和优点将变得更为显见，附图中：

图1是说明根据本发明第一实施例的TFT基板的布局图。

图2是沿图1的II-II线获得的截面图。

图3A到图3L示出了根据本发明的第一实施例的显示装置的制造方法。

图4是根据本发明第二实施例的显示装置的截面图。

具体实施方式

根据本发明的TFT基板组件100包括绝缘基板110、数据导体121、123、中间绝缘层130、栅极导体141、143、145、第一壁150、栅极绝缘层155、源电极161、171和漏电极163、173。在绝缘基板110上形成数据导体121、123，在数据导体121、123上形成中间绝缘层130，在层130上形成栅极导体141、143、145。壁150具有暴露栅极导体141、143和145的至少一部分的开口151。在开口151内形成栅极绝缘层155。跨越栅电极143将源电极161、171与漏电极163、173相互分开，以界定沟道区C。