[发明专利]半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 201110201276.2 | 申请日： | 2011-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN102891102A | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
1.一种半导体器件的形成方法，包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成镍铂合金层，所述镍铂合金层靠近半导体衬底一侧的铂的原子百分比大于所述镍铂合金层的另一侧的铂的原子百分比；
对所述镍铂合金层进行第一次退火处理，使得镍铂合金层中的镍原子和铂原子向所述半导体衬底内扩散，形成位于所述半导体衬底内的第一金属硅化物层；
去除所述镍铂合金层和保护层，暴露出所述第一金属硅化物层；
对所述第一金属硅化物层进行第二次退火处理，使得所述第一金属硅化物层中的镍原子和铂原子继续向所述半导体衬底内扩散，形成第二金属硅化物层。
2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述镍铂合金层可以为单层或多层堆栈的结构。
3.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述镍铂合金层包括位于所述半导体衬底表面的第一镍铂合金层，及位于所述第一镍铂合金层表面的第二镍铂合金层，所述第一镍铂合金层中铂的原子百分比大于所述第二镍铂合金层中铂的原子百分比。
4.如权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一镍铂合金层中铂的原子百分比为5～15％；所述第二镍铂合金层中铂的原子百分比为0～5％。
5.如权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一镍铂合金层的厚度为20～50所述第二镍铂合金层的厚度为50～150
6.如权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一镍铂合金层和第二镍铂合金层的形成工艺为物理或化学气相沉积。
7.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一次退火处理的温度为200～350℃，退火时间为20～90s。
8.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一金属硅化物层的材料为NiXPt(2-X)Si，其中X大于1.6。
9.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二次退火处理的温度为400～650℃，退火时间为10～60s。
10.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二金属硅化物层的材料为NiZPt(1-Z)Si，其中Z大于0.8。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
