[发明专利]发光器件

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

导电支撑构件；

在所述导电支撑构件上的第一导电层；

在所述第一导电层上的第二导电层；

在所述第一导电层和所述第二导电层之间的绝缘层；和

发光结构，所述发光结构包括在所述第二导电层上的第二半导体层、第一半导体层和在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的有源层，所述第一半导体层具有第一表面区域和第二表面区域，

其中所述第一导电层包括通过所述第二导电层、所述第二半导体层和所述有源层的至少一个导电通孔，并且所述至少一个导电通孔的第一表面设置于所述第一半导体层中，

其中所述绝缘层基本围绕所述导电通孔的侧壁，

其中所述第一半导体层的所述第一表面包括第一表面区域、第二表面区域和设置在所述第一表面区域和所述第二表面区域之间的凹陷，所述凹陷具有底表面，其中所述凹陷与所述第一半导体层的所述第二表面对准，并且所述至少一个导电通孔的所述第一表面与所述第一半导体层的所述第一表面区域对准，并且

其中所述第一半导体层的所述第一表面区域具有表面粗糙并且所述凹陷的所述底表面具有表面粗糙。

2.根据权利要求1的发光器件，其中所述导电通孔具有倾斜的表面。

3.根据权利要求1的发光器件，进一步包括位于所述导电通孔的侧壁和形成在所述导电通孔的侧壁上的绝缘层之间的反射层。

4.根据权利要求3的发光器件，其中所述反射层包括Ag、Al、Pt、Ni、Pt、Pd、Au、Ir或者透明导电氧化物中的至少一种，并且其中所述透明导电氧化物包括ITO或者GZO中的至少一种。

5.根据权利要求1到4中的任何一项的发光器件，其中设置于所述第一半导体层中的所述导电通孔的第一表面具有大于所述导电通孔的底表面的面积。

6.根据权利要求1到4中的任何一项的发光器件，其中所述第二导电层包括至少一个暴露区域以形成与所述第二半导体层的界面，并且其中所述发光器件进一步包括在所述第二导电层的暴露区域上的电极焊盘。

7.根据权利要求6的发光器件，其中所述电极焊盘设置在所述发光器件的角部中。

8.根据权利要求1到4中的任何一项的发光器件，进一步包括形成在所述发光结构的侧壁上的钝化层，所述钝化层用于防止电流的泄漏。

9.根据权利要求1到4中的任何一项的发光器件，其中所述绝缘层和所述钝化层分别形成为包括氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiO_xN_y、Si_xN_y)、金属氧化物(Al₂O₃)或者氟化物基化合物中的至少一种。

10.根据权利要求1到4中的任何一项的发光器件，其中所述导电支撑构件包括Au、Ni、Al、Cu、W、Si、Se或者GaAs中的至少一种。

11.根据权利要求1到4中的任何一项的发光器件，其中所述第一导电层包括Al、Au、Pt、Ti、Cr或者W中的至少一种。

12.根据权利要求1到4中的任何一项的发光器件，其中所述第二导电层反射来自所述有源层的光。

13.根据权利要求1到4中的任何一项的发光器件，其中所述第二导电层包括Ag、Al、Pt、Ni、Pt、Pd、Au、Ir或者透明导电氧化物中的至少一种，并且其中所述透明导电氧化物包括ITO或者GZO中的至少一种。

14.根据权利要求1到4中的任何一项的发光器件，其中所述导电通孔的所述第一表面的一部分具有表面粗糙。

15.根据权利要求1到4中的任何一项的发光器件，其中所述至少一个导电通孔包括第一导电通孔和第二导电通孔，并且所述第一导电通孔和所述第二导电通孔之间的距离是5μm到50μm。

16.根据权利要求1到4中的任何一项的发光器件，其中从所述第一半导体层的所述第二表面到所述凹陷的所述底表面的距离是所述第一半导体层的厚度的1/2到2/3。

17.根据权利要求1到4中的任何一项的发光器件，其中所述凹陷的所述底表面的直径是5μm到50μm。