[发明专利]无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件及其硫化锌缓冲层薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201110200888.X | 申请日： | 2011-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN102254998A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 刘壮;卢兰兰;贺凡;肖旭东 | 申请（专利权）人： | 中国科学院深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C23C14/06;C23C14/58 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 无镉铜铟镓硒 薄膜 太阳能电池 组件 及其 硫化锌 缓冲 制备 方法 | ||
1.一种无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、在衬底上依次形成背电极和铜铟镓硒光吸收层，形成样片；
步骤二、在所述样片表面溅镀氧化锌薄膜；
步骤三、将所述样片放入硒化室内在硫化氢的气氛下进行退火处理，将所述氧化锌薄膜转化为硫化锌缓冲层薄膜；及
步骤四、在所述硫化锌缓冲层薄膜上依次形成阻挡层及窗口层，得到所述无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件。
2.根据权利要求1所述的无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件的制备方法，其特征在于：步骤二中，溅镀所用的靶材为纯度为99.99％的氧化锌，靶材的长和宽分别为250mm和100mm，靶材到衬底的距离为75mm。
3.根据权利要求1所述的无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件的制备方法，其特征在于：步骤二中，溅镀所用的磁控溅射腔体内通入有Ar和O2。
4.根据权利要求3所述的无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件的制备方法，其特征在于：所述Ar和O2的流量比为10∶1。
5.根据权利要求1所述的无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件的制备方法，其特征在于：步骤二中，溅镀时间为10～15分钟。
6.根据权利要求1所述的无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件的制备方法，其特征在于：步骤三中，退火处理的温度为400～500℃，时间为10～60分钟。
7.一种硫化锌缓冲层薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
在样片表面溅镀氧化锌薄膜；及
将所述样片在硫化氢的气氛下进行退火处理，将所述氧化锌薄膜转化为硫化锌缓冲层薄膜。
8.根据权利要求7所述的硫化锌缓冲层薄膜的制备方法，其特征在于：溅镀所用的靶材为纯度为99.99％的氧化锌，靶材的长和宽分别为250mm和100mm，靶材到衬底的距离为75mm。
9.根据权利要求7所述的硫化锌缓冲层薄膜的制备方法，其特征在于：溅镀所用的磁控溅射腔体内通入有Ar和O2，所述Ar和O2的流量比为10∶1。
10.根据权利要求7所述的硫化锌缓冲层薄膜的制备方法，其特征在于：溅镀时间为10～15分钟。
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