[发明专利]电接触件无效

专利信息
申请号: 201110200874.8 申请日: 2011-07-07
公开(公告)号: CN102340067A 公开(公告)日: 2012-02-01
发明(设计)人: M·布休彦;木村毅 申请(专利权)人: 泰科电子日本合同会社
主分类号: H01R13/02 分类号: H01R13/02
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 严志军;杨楷
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 接触
【说明书】:

技术领域

本发明涉及与电路基板的导体图案或对方接触件等的具有导电性的被接触物接触的电接触件。

背景技术

以往,已知具备与电路基板的导体图案或对方接触件等的具有导电性的被接触物接触的电接触件和支撑电接触件的绝缘性的外壳的电连接器。

作为该电连接器的一个示例,例如已知图7所示的IC插口(参照专利文献1)。图7显示了以往的IC插口,(A)是IC封装件的导线和IC插口的接触件连接的状态的局部剖面图,(B)是放大显示接触件的凹凸条部分的局部放大图。

图7(A)所示的IC插口101具备与IC封装件130的排列的导线131接触的至少1列具有导电性的接触件120和支撑接触件120的绝缘性的外壳110。在外壳110载置有IC封装件130。而且,当在IC插口101的外壳110载置IC封装件130时,接触件120的接触部121与导线131沿图7(B)所示的箭头W方向互相滑擦(wiping)并接触。

而且,在各接触件120的接触部121的与导线131接触的接触面122,设有沿与滑擦方向(箭头W方向)垂直的方向延伸的多个凹凸条123。该凹凸条123具备从接触面122凹陷的多个V形的槽123a和在这些槽123a的两侧沿着槽123a的多对凸条123b。凹凸条123是沿与滑擦方向垂直的方向(图7(B)的与纸面垂直的方向)通过拖曳而形成的。

而且,作为这些凹凸条123的尺寸,例如,槽123a的角度α1为60度,深度h1为0.08mm,凸条123b间的距离d1为0.09mm,槽123a的剖面积S为0.037mm2,槽123a、123a间的距离D1为0.020mm。

通过设置这样的凹凸条123,使得即使在接触件120和导线131接触时滑擦量变少,也能够利用凹凸条36将具有延伸的性质的异物刮除,可靠地进行电连接。

另外,作为以往的电连接器的其他示例,例如,已知图8所示的电连接器(参照专利文献2)。图8是以往的插入件的剖面图。

图8所示的插入件201将诸如电路基板230的导电性焊盘231和半导体凸点240的被接触物间相互连接,具备具有导电性的接触件210和支撑接触件210的绝缘性的外壳220。

接触件210具备弹簧部211和一对触点212、213。接触件210例如由Ni-Co或NiMn等的Ni合金构成,利用将光刻和电气铸造结合的微细加工技术而制作。

在此,接触件210的弹簧部211具有形成为由于按压而弹性变形的无端环状的大致葫芦形。

另外,接触件210的1对触点212、213在弹簧部211的环形的大致离开半周的上下位置分别向外侧突出而形成。另外,该1对触点212、213的各前端部分能够利用将光刻和电气铸造结合的微细加工技术而形成为半径30μm以下的圆弧状,在此例如为5μm。这1对触点212、213分别与对置的诸如半导体凸点240、导体图案231的各被接触物接触而受到按压。

根据该接触件210,1对触点212、213的各前端部分通过将光刻和电气铸造结合的微细加工技术而形成为半径30μm以下的圆弧状。因此,在1对触点212、213分别与对置的各被接触物接触而受到按压时,即使是低负荷,即较低的接触压力,也能够得到较高的集中应力。因此,即使在被接触物的表面形成有沾污或绝缘被膜,利用其较高的集中应力,1对触点212、213也能够将其破坏,与被接触物得到良好的接触电阻。

专利文献1:日本特开2005-78865号公报

专利文献2:日本特开2009-158387号公报

发明内容

然而,在这些以往的图7所示的IC插口101所使用的接触件120和图8所示的插入件201所使用的接触件210中,存在着以下的问题。

即,对于图7所示的IC插口101所使用的接触件120而言,在专利文献1中,没有记载凸条123b的前端部分的半径为怎样的大小才恰当。

另外,对于图8所示的插入件201所使用的接触件210而言,在专利文献2中,1对触点212、213的各前端部分能够通过将光刻和电气铸造结合的微细加工技术而形成为半径30μm以下的圆弧状,作为示例,能够列举其半径为5μm。

但是,关于1对触点212、213的各前端部分的半径为30μm以下,专利文献2完全没有公开其半径的最佳范围。

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