[发明专利]一种采用BOD元件的大容量电容器过电压保护电路有效
申请号: | 201110200372.5 | 申请日: | 2011-07-18 |
公开(公告)号: | CN102299512A | 公开(公告)日: | 2011-12-28 |
发明(设计)人: | 汤广福;杨卫刚;易荣;吕铮;杨波;冯静波 | 申请(专利权)人: | 中国电力科学研究院 |
主分类号: | H02H9/04 | 分类号: | H02H9/04 |
代理公司: | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人: | 徐国文 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 采用 bod 元件 容量 电容器 过电压 保护 电路 | ||
技术领域
本发明涉及一种电路,具体讲涉及一种采用BOD元件的大容量电容器过电压保护电路。
背景技术
一种采用BOD元件保护晶闸管过电压电路原理图见图1。BOD元件常用于此保护电路中。而且BOD元件可多个串联,以达到合理的保护电压值。BOD元件伏安特性见图2。图2中的VBO即是BOD元件的动作值,当BOD元件两端电压低于VBO时,流过BOD元件的漏电流很小,约100uA左右,当BOD元件两端电压达到VBO时,且流过其电流IBO达到约15mA时,BOD元件导通,其两端电压VH为约4~6V,流过其电流最大可达0.9A,具体电流看电路中的限流电阻及电压。
参见图1,当晶闸管T端电压超过保护整定值时,BOD元件将被击穿,电容C2充电,当C2两端电压超过D4稳压管的值时,D4被击穿,将触发晶闸管T的门极,使晶闸管T导通,晶闸管T两端的电压迅速下降,当其电压小于BOD元件的击穿电压时BOD元件关断,不会再有触发门电流发出。
晶闸管T承受的电压有限,所以合理的选择BOD元件的参数,可使得在晶闸管T承受危险的电压之前通过BOD元件将晶闸管T触发导通,避免损坏晶闸管T。
以上的常规保护电路在晶闸管T过压时,BOD元件导通将触发晶闸管,晶闸管T两端电压迅速下降,所以在R1上消耗的功率较小,R1可用较小体积的电阻。而如果被保护的是一个大容量电容器,且在电容器过电压时,BOD动作后不能迅速将大容量电容器上的电压降为0,只是将大容量电容器的充电回路切断,导致大容量电容器上的电压将维持较长一段时间,那么R1上消耗的功率将会较大,R1必须用较大体积的电阻才能实现,这就增大了电路板的体积。且不同的保护电压值要用不同的BOD元件,这就使得在工程应用中较为麻烦。
发明内容
本发明的目的是为了解决以上的两个问题,采用BOD元件的大容量电容器过电压保护电路,来保护大容量电容器的过电压。
本发明采用下述技术方案予以实施:
一种采用BOD元件的大容量电容器过电压保护电路,其改进之处在于,所述过电压保护电路包括BOD1元件、储能电容、二极管、分压电阻、回路放电电阻、限流电阻及晶闸管Q1。
本发明提供的一种优选的技术方案是:所述储能电容包括C1和C2,所述二极管包括D1和D2,所述分压电阻包括R1和R2,所述回路放电电阻为R3,所述限流电阻包括R4和R5;所述分压电阻R1和R2并联;在所述分压电阻R1和R2之间的连接线上依次连接有二极管D1、BOD1元件、限流电阻R4和R5;所述储能电容C1连接在二极管D1的左侧;所述回路放电电阻R3连接在BOD1元件和限流电阻R4之间;所述储能电容C2连接在限流电阻R4和R5之间;所述二极管D2连接在限流电阻R5的左侧;所述分压电阻R2、储能电容C1、回路放电电阻R3、储能电容C2和二极管D2依次并联;所述晶闸管Q1和二极管D2并联。
本发明提供的第二优选的技术方案是:所述过电压保护电路具有连续发出触发特性。
本发明提供的第三优选的技术方案是:根据公式R1=U2/P来确定所述分压电阻R1,所述U为当C1、R2或者所述过电压保护电路的其他元件短路时R1承受最高的保护电压值;功率P为6W。
本发明提供的第四优选的技术方案是:根据公式VBO=U*R2/(R1+R2)来确定所述分压电阻R2,所述VBO为BOD1元件的动作值。
本发明提供的第五优选的技术方案是:所述储能电容C1的值为3×VBO;根据公式计算所述储能电容C2。
本发明提供的第六优选的技术方案是:所述回路放电电阻R3为1k~5k欧姆。
本发明提供的第七优选的技术方案是:所述限流电阻R4为1~5欧姆;所述限流电阻R5为2~10欧姆,功率选择为6W。
本发明提供的第八优选的技术方案是:所述二极管D1选择反相电压较高的快恢复二极管;所述二极管D2选择肖特基二极管。
与现有技术相比,本发明达到的有益效果是:
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